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公开(公告)号：CN117099184A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024660.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×1014/cm2以上的照射量的电子束照射至所述单晶硅基板的工序。由此，提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其在使氮化物半导体膜形成在单晶硅基板上而获得的氮化物半导体晶圆中，改善了由基板所造成的损失及第2高次谐波的特性。
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公开(公告)号：CN115867509A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180046661.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B82Y40/00
Abstract: 本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，量子计算机用半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在所述半导体基板上形成所述量子计算机用元件以及所述周边电路；通过向所述半导体基板中的至少量子计算机用元件形成部以及周边电路形成部照射粒子束，从而使半导体基板中的载流子惰性化。由此，提供一种能够制造3HD特性优异的量子计算机用半导体装置的、量子计算机用半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN106415806A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580024451.1
申请日：2015-02-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/02 , H01L23/66 , H01L27/12 , H01L27/1203
Abstract: 本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的接口状态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将接口状态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的接口状态密度而求取接口状态密度，或是求取基于接口状态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度，基于预先求取接口状态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，借由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。
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公开(公告)号：CN119816631A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065254.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。
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公开(公告)号：CN119404305A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380049270.9
申请日：2023-04-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
Abstract: 本发明是一种带有散热器结构的部件（34），其具有基板部件（31）与散热器结构部（9），基板部件（31）形成有集成电路部（10），散热器结构部（9）形成在集成电路部（10）上，带有散热器结构的部件（34）的特征在于，集成电路部（10）形成凹凸形状，散热器结构部（9）是：在金刚石层（6）上形成有嵌合于集成电路部（10）的所述凹凸形状的凸凹形状；或形成有金刚石层（6）的硅基板（8），且在硅基板（8）上形成有嵌合于集成电路部（10）的所述凹凸形状的凸凹形状；使散热器结构部（9）的凸凹形状嵌合于集成电路部10的凹凸形状，而将散热器结构部（9）贴合于基板部件（31。由此，提供更有效的散热结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN112951932A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011203371.1
申请日：2020-11-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/0288 , H01L27/146 , C30B15/00 , C30B29/06
Abstract: 技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105247669B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201480030034.3
申请日：2014-04-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/12 , H01L29/0688
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，包含以下步骤：准备已知污染元素及污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn结的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的结漏电流，获取所述基准晶圆的所述结漏电流的分布的步骤；进行所述基准晶圆的所述结漏电流的分布与污染元素的对应关联的步骤；在被测晶圆上形成多个包含pn结的单元的步骤；测量所述被测晶圆的所述多个单元的结漏电流，获取所述被测晶圆的所述结漏电流的分布的步骤；基于所述对应关系，确定所述被测晶圆的污染元素的步骤。
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公开(公告)号：CN106104756A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013050.6
申请日：2015-02-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , G01N23/225 , H01L21/26
CPC classification number: H01L22/24 , G01N23/2254 , G01N2223/3106 , G01N2223/6116 , H01L21/26513 , H01L21/2686 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。
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公开(公告)号：CN105247669A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030034.3
申请日：2014-04-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 大槻刚
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/12 , H01L29/0688
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，包含以下步骤：准备已知污染元素及污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布的步骤；进行所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布与污染元素的对应关联的步骤；在被测晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述被测晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述被测晶圆的所述接合漏电流的分布的步骤；基于所述对应关系，特定所述被测晶圆的污染元素的步骤。
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