公开(公告)号：CN102315103A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1908251B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610105961.4

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN101335205A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810144145.3

申请日：2005-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/04 ,  B28D1/06 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/02027 ,  B28D5/045 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/302 ,  H01L29/2003 ,  Y10T83/9292

Abstract: 本发明的目的在在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1－100}面倾斜3°以上。

公开(公告)号：CN101319402A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109546.5

申请日：2008-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树 ,  佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20

Abstract: GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。

公开(公告)号：CN101241855A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008534.3

申请日：2008-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  松本直树 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/40 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30621

Abstract: 提供一种能够增强衬底PL强度的III－V族化合物半导体衬底制造方法。在这种III－V族化合物半导体衬底制造方法中，首先，抛光晶片3的表面3a(抛光步骤)。其次，清洗晶片3的表面3a(第一清洗步骤S7)。接下来，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第一干蚀刻，同时将第一偏压功率施加到用于承载晶片3的卡盘24上。随后，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第二干蚀刻(第二干蚀刻步骤S11)，同时将比第一偏压功率低的第二偏压功率施加到卡盘24。

公开(公告)号：CN100344004C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。

公开(公告)号：CN104781907B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN104781907A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201480002997.2

申请日：2014-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  松本直树 ,  中西文毅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L27/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10-6K-1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101884094B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980101212.6

申请日：2009-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  三上英则 ,  松本直树

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/959 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。