公开(公告)号：CN1165980A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN97111184.7

申请日：1997-05-12

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  番场敏夫 ,  真壁裕明 ,  竹田直滋 ,  竹田敏郎

IPC: G03F7/022

CPC classification number: G03F7/0226 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/107

Abstract: 公开了一种正型光敏树脂组合物，它包括(A)100重量份的式(1)聚酰胺，(B)1-100重量份光敏重氮醌化合物以及(C)1-50重量份具有特定结构的酚化合物和/或(D)0.1-20重量份具有特定结构式的有机硅化合物，其中各取代基如说明书中所述。还公开了一种半导体装置，其中在半导体元件上形成了厚度0.1-20μm的用上述光敏树脂组合物得到的聚苯并噁唑树脂图案。

公开(公告)号：CN101939825B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200980104428.8

申请日：2009-02-06

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/295 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明的半导体用膜具有片状基材和在该片状基材的一个方向的面上设置的接合剂层，其特征在于，所述接合剂层由含有可交联反应的树脂和具有焊剂活性的化合物的树脂组合物构成。另外，本发明的半导体用膜，优选是通过使倒装芯片型半导体元件的功能面与半导体用膜的所述接合剂层粘合来使用。

公开(公告)号：CN102473618A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031084.5

申请日：2010-05-31

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 安田浩幸 ,  平野孝

IPC: H01L21/301 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L24/29 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并切割半导体晶片时支承半导体晶片，并且在拾取单片化的半导体晶片(半导体元件)时，有选择性地使第一粘着层与粘接层之间发生剥离。该半导体用膜的特征在于，与半导体晶片进行层叠并且通过切割使半导体晶片单片化后，测定所获得的半导体元件的粘附力，若设定半导体元件的边缘部的粘附力为a(N/cm)、半导体元件的中央部(边缘部以外的部分)的粘附力为b(N/cm)，则在a/b为1以上且4以下。由于a/b达到最优化，因此在拾取半导体元件时，能可靠地抑制因局部施加有高负荷而引起的半导体元件的裂纹或缺损等缺陷。

公开(公告)号：CN102298265A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110146567.6

申请日：2003-07-02

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 埃德蒙德·埃尔切 ,  平野孝 ,  小杰弗里·C·克罗廷 ,  拉里·F·罗兹 ,  布赖恩·L·古多尔 ,  塞库马·贾亚拉曼 ,  克里斯·麦克杜格尔 ,  孙申亮

IPC: G03F7/038 ,  C08F232/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C08G59/3218 ,  C08G61/02 ,  C08G61/06

Abstract: 本发明涉及共聚物组合物、光刻介电组合物及包含所述光刻介电组合物的电气或电子器件。所述共聚物组合物包括如下共聚物，所述共聚物具有下式I的重复单元：，其中X选自O，-CH2-和-CH2-CH2-；m是从0到5的整数；并且每次出现的R1-R4独立地选自下列基团：H，包含一个或者多个选自O，N和Si的杂原子的C1到C25的线性、支链和环状烷基，芳基，芳烷基，烷芳基，烯基和炔基；包含环氧官能团的基团；-(CH2)nC(O)OR5R5；-(CH2)nC(O)OR6，-(CH2)nOR6；-(CH2)nOC(O)R6；-(CH2)nC(O)R6；(CH2)nOC(O)OR6R6；以及R1，R2，R3和R4中的任意两个基团的组合通过连接基团连接起来。一部分具有结构式I的重复单元含有至少一个环氧官能团侧基。所述光刻介电组合物可用于形成基质上的光刻层。

公开(公告)号：CN101523561A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037298.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  佐佐木晓嗣 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。

公开(公告)号：CN100521218C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580035147.3

申请日：2005-10-05

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 楠木淳也 ,  平野孝

IPC: H01L27/14 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10

Abstract: 本发明公开了一种光接收装置，其包括设置有至少一个光接收元件的衬底以及在经形成了光接收元件的衬底的表面上方排列的透明盖(6)。在衬底和透明盖(6)之间所提供的密封件(5)至少在围绕着光接收装置的衬底区域。该密封装置(5)由包含环烯树脂的材料组成。

公开(公告)号：CN1666150A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815809.4

申请日：2003-07-02

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 埃德蒙德·埃尔切 ,  平野孝 ,  小杰弗里·C·克罗廷 ,  拉里·F·罗兹 ,  布赖恩·L·古多尔 ,  塞库马·贾亚拉曼 ,  克里斯·麦克杜格尔 ,  孙申亮

IPC: G03F7/038 ,  C08F232/00 ,  C08G59/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C08G59/3218 ,  C08G61/02 ,  C08G61/06

Abstract: 包括共聚物的共聚物组合物，所述共聚物具有式I的重复单元，其中X选自O，－CH2－，和－CH2－CH2－；m是从0到5的整数；并且每次出现的R1－R4独立地选自下列基团：H，包含一个或者多个选自O，N和Si的杂原子的C1到C25的线性，支链和环烷基，芳基，芳烷基，烷芳基，烯基和炔基；包含环氧官能团的基团；－(CH2)nC(O)OR5R5；－(CH2)nC(O)OR6，－(CH2)nOR6；－(CH2)nOC(O)R6；－(CH2)nC(O)R6；(CH2)nOC(O)OR6R6；以及通过连接基团连接起来的两个R1，R2，R3和的任一组合。一部分具有结构式I的重复单元含有至少一个环氧官能团侧基。共聚组合物可以包含在经光子形成光刻介电组合物中催化剂的物质中，所述光刻介电组合物可用于形成基质上的光刻层。

公开(公告)号：CN1198334C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN00804230.6

申请日：2000-02-23

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  山本景寿 ,  番场敏夫 ,  真壁裕明

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/312 ,  H01L21/027 ,  G03F7/022 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  C08G69/42 ,  C08G73/22

Abstract: 本发明改进了在生产倒装片中的操作问题并提供了各种可靠性高的半导体器件。将一种包含100重量份聚酰胺和1至100重量份光敏重氮醌化合物的正光敏树脂组合物涂布在形成器件的表面、图形化并固化。所得用于器件保护的聚苯并噁唑树脂薄膜和凸点电极用于模塑半导体器件。

公开(公告)号：CN1545642A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN01818334.4

申请日：2001-10-09

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  冈明周作

IPC: G03F7/022 ,  G03F7/037 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/0226

Abstract: 本发明提供了可以形成高分辨率、高残余膜比率的图案并给出机械能、粘合性和吸水性优良的固化膜的高灵敏度正性光敏树脂组合物。也就是说，本发明在于包含100重量份碱溶性树脂、1至100重量份光敏性重氮醌化合物(B)和填料(C)的正性光敏树脂组合物，其特征在于用下式表示的填料(C)的含量F为2至70重量％。F＝填料(C)/[碱溶性树脂+填料(C)]。

公开(公告)号：CN1341279A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804230.6

申请日：2000-02-23

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  山本景寿 ,  番场敏夫 ,  真壁裕明

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/312 ,  H01L21/027 ,  G03F7/022 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  C08G69/42 ,  C08G73/22

Abstract: 本发明改进了在生产倒装片中的操作问题并提供了各种可靠性高的半导体器件。将一种包含100重量份聚酰胺和1至100重量份光敏重氮醌化合物的正光敏树脂组合物涂布在形成器件的表面、图形化并固化。所得用于器件保护的聚苯并噁唑树脂薄膜和凸点电极用于模塑半导体器件。