公开(公告)号：CN107026080B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710007284.0

申请日：2017-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 羽田敬子 ,  清水昭贵 ,  长仓幸一 ,  立花光博

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水分量是50g/m3以上的气氛。

公开(公告)号：CN103882408A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310712445.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  池川宽晃 ,  和村有 ,  尾谷宗之 ,  小川淳 ,  高桥宏辅

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。

公开(公告)号：CN103866297A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN100483637C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480028497.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  松田司 ,  五味淳 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  松泽兴明 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非利 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属-羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。

公开(公告)号：CN1956166A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN1395743A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803734.8

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。

公开(公告)号：CN103966575B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410043876.4

申请日：2014-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。

公开(公告)号：CN102994981A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210337266.6

申请日：2012-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 榎本忠 ,  立花光博 ,  古屋治彦 ,  大下健太郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供基板处理装置和成膜装置。基板处理装置具有：处理容器；用于对基板进行气体处理的多个处理区域；旋转台，其将基板载置在其上表面侧并使基板依次通过多个处理区域；反应气体供给用的气体喷嘴；分离区域；排气口；罩构件，其用于使反应气体滞留在气体喷嘴的周围，其包括侧壁部和上壁部，在上述罩构件上，从旋转方向上游侧的侧壁部的下部起设有引导面，该引导面用于将从旋转方向上游侧流动的分离气体向上述罩构件的上方引导，气体喷嘴与旋转方向上游侧的侧壁部之间的间隔是8mm以上。

公开(公告)号：CN101208458B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680023223.3

申请日：2006-07-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  杉浦正仁 ,  西森崇 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  H01L21/285 ,  H01L21/268

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供通过控制结晶结构形成具有比现有技术中更低电阻的金属类膜的方法。该方法包括：通过在作为金属类原料气体例如供给WF6气体的步骤和作为氢化物气体例如供给SiH4气体的步骤之间，插入供给不活泼气体例如Ar气体、N2气体的清洁步骤，交替地反复进行，形成包含非晶质的第一钨膜的第一钨膜成膜步骤；和在第一钨膜上，通过同时供给上述WF6气体和作为还原性气体的例如H2气体，形成第二钨膜的第二钨膜成膜步骤。通过改变在供给SiH4气体的步骤之后的清洁步骤的进行时间控制第一钨膜包含的非晶质的比例。

公开(公告)号：CN101448971A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780017818.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 立花光博 ,  西森崇

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/28556

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，上述成膜方法的特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。