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公开(公告)号：CN100446218C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610149469.7
申请日：2001-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN105039929B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510217188.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。
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公开(公告)号：CN100459148C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200580003156.4
申请日：2005-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/42 , H01L21/28088 , H01L29/4966
Abstract: 本发明提供一种包括半导体基板(1)、在该基板上形成的栅极绝缘膜(例如栅极氧化膜)(2)、和在该绝缘膜上形成的栅极电极(3)的半导体装置。栅极电极(3)具有金属化合物膜(3a)。该金属化合物膜(3a)通过使用含有金属羰基的原料(例如W(CO)6气体)、以及含有Si的气体和含有N的气体中的至少一种的CVD而形成。这样形成的金属化合物膜(3a)可利用其Si和/或N的含量来控制其功函数。
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公开(公告)号：CN111312588A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN105039929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510217188.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1914736A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003156.4
申请日：2005-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/42 , H01L21/28088 , H01L29/4966
Abstract: 本发明提供一种包括半导体基板(1)、在该基板上形成的栅极绝缘膜(例如栅极氧化膜)(2)、和在该绝缘膜上形成的栅极电极(3)的半导体装置。栅极电极(3)具有金属化合物膜(3a)。该金属化合物膜(3a)通过使用含有金属羰基的原料(例如W(CO)6气体)、以及含有Si的气体和含有N的气体中的至少一种的CVD而形成。这样形成的金属化合物膜(3a)可利用其Si和/或N的含量来控制其功函数。
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公开(公告)号：CN1295756C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN01803734.8
申请日：2001-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空-排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。
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公开(公告)号：CN111312588B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN1956166A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149469.7
申请日：2001-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN1395743A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803734.8
申请日：2001-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种金属膜形成方法，包括：步骤(a)(s13，s15)向基底阻挡膜(3)依次输送多种原料气体，其中至少一种气体包括金属；和(b)(s14，s16)在输送步骤(a)的原料气体之后，分别对步骤(a)的原料气体进行抽真空－排放或用其它种类气体替换步骤(a)的原料气体，由此在基底阻挡膜(3)上形成超薄金属膜(5)。
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