公开(公告)号：CN116964715A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019898.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宽之 ,  冈田聪一郎 ,  井户泰幸 ,  村松诚 ,  吉田圭佑 ,  宫原奈乃华

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。

公开(公告)号：CN115066742A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013830.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  村松诚 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。

公开(公告)号：CN111052321A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880057445.X

申请日：2018-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  源岛久志

IPC: H01L21/312 ,  B05C9/12 ,  B05C9/14 ,  B05C13/02 ,  B05D1/36 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  H01L21/76 ,  B05C11/08

Abstract: [课题]提供一种技术，其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W，在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前，在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此，使在聚硅氮烷中预先要水解的部位的硅生成悬挂键。因此，由于水解所需的能量下降，因此，即使使固化工序的温度为350℃时，不水解而残留的部位变少。其结果，由于有效地引起脱水缩合，因此，交联率改善而可以成膜为致密的(优质膜质的)绝缘膜。而且，通过对前述涂布膜照射紫外线后在涂布膜的表面形成保护膜，从而可以抑制固化工序前的悬挂键的反应，涂布膜的膜质变良好。

公开(公告)号：CN119343755A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380045201.0

申请日：2023-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井下田真信 ,  高桥丰 ,  田村辰也 ,  铃木祐介 ,  镰田丰弘 ,  小山贤一 ,  都筑伶子 ,  永原诚司 ,  村松诚 ,  村松谕 ,  志村悟

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种基板处理方法和基板处理系统，将金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模蚀刻基底膜时，改善基底膜上形成的图案的线边缘粗糙度。一种基板处理方法，包括：在具有基底膜的基板上形成金属氧化物抗蚀剂膜的工序，在所述金属氧化物抗蚀剂膜上形成图案的工序，将形成有所述图案的所述金属氧化物抗蚀剂膜改性的工序，将改性的所述金属氧化物抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述基底膜的工序。

公开(公告)号：CN117355796A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280036939.6

申请日：2022-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永原诚司 ,  丁公桂 ,  村松诚

IPC: G03F7/039

Abstract: 本申请公开一种光致抗蚀剂组合物，其包含非化学放大型抗蚀剂材料和增感剂前体。增感剂前体是通过照射电离放射线或具有300nm以下波长的非电离放射线而生成增感剂的化合物，所述增感剂吸收超过300nm的非电离放射线。

公开(公告)号：CN110546744B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880025732.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  斋藤祐介 ,  源岛久志 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。

公开(公告)号：CN104812503A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380016312.5

申请日：2013-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  北野高广 ,  富田忠利 ,  田内启士

IPC: B05D7/24 ,  B05C9/14 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

Abstract: 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。