公开(公告)号：CN100433294C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN101036219A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034009.3

申请日：2005-10-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  太田与洋 ,  康松润 ,  泽田郁夫

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。

公开(公告)号：CN1809915A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480010613.8

申请日：2004-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  浅野明 ,  寺井康浩 ,  西泽贤一

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31

Abstract: 在该等离子成膜方法和装置中，以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管，使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为微波波长的一半的狭缝，从这些狭缝例如以圆偏振波方式使微波向处理气氛发射从而使原料气体等离子化，产生以均方速度进行定义的电子温度为3eV以下且电子密度为5×1011个/cm3以上的等离子而形成加氟碳膜。在这种场合，最好是将作业压力设定为19.95Pa以下进行作业。通过采用这样的方案，在利用等离子形成加氟碳膜时，能够使原料气体例如C5F8气体的分子链适度分解而得到CF链较长的链结构，由此能够形成介电常数低且泄漏电流小的优异的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101606227A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004230.8

申请日：2008-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  野沢俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。

公开(公告)号：CN101556948A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN100514574C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480023355.7

申请日：2004-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  小林保男 ,  西泽贤一 ,  寺井康浩 ,  浅野明

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3127

Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。

公开(公告)号：CN1910746A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN1853259A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200480026871.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  桥本毅

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 在本发明的基板处理方法和基板处理装置中，用被活化的NF3气体除去在MOSFET(11)的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表层上形成的自然氧化膜，在已除去该自然氧化膜的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表面上形成Co膜(91)，对该MOSFET进行低温退火，以使该Co膜(91)与栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的硅化合物反应，从而在该硅化合物的表层上形成金属硅化物层。因此，能够提供一种不需要受热历程会对基板中杂质的分布产生不利影响的高温退火的处理方法。

公开(公告)号：CN1768431A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009209.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  若松秀利 ,  小林保男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO2的生成。

公开(公告)号：CN103026473A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180035567.7

申请日：2011-07-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫谷光太郎 ,  根本刚直 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

Abstract: 提供一种能够形成机械强度和耐吸湿性优良的低介电常数的层间绝缘层的层间绝缘层形成方法。另外，提供一种减少布线延迟的半导体装置。在通过等离子体CVD法形成半导体装置的层间绝缘层的方法中，包括：向被减压的处理容器内搬入基板的工序；与上述基板相隔离开的第一空间（1a）供给等离子体生成气体的工序；在上述第一空间（1a）使上述等离子体生成气体激发的工序；和对上述第一空间（1a）和上述基板之间的第二空间（1b），供给至少含有氢基或烃基的硼化合物的原料气体的工序。另外，在隔着形成有含有硼、碳和氮的无定形结构的层间绝缘层进行多层布线的半导体装置中，上述层间绝缘层在含有六方晶和立方晶氮化硼的无定形结构中混有烃基或烷基氨基。