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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
Abstract: 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
Abstract: 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN106475701A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610232338.9
申请日：2016-04-14
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45015 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/78301 , H01L2224/85439 , H01L2224/45147 , H01L2924/01206 , H01L2924/20752 , H01L2924/20751 , H01L24/43 , B23K35/0227 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45144 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047
Abstract: 本发明提供了一种球焊用铜合金细线，其特征为由下述成分所构成：金(Au)的含量为100质量ppm以上3,000质量ppm以下、银(Ag)的含量为10质量ppm以上1,000质量ppm以下、磷(P)的含量为5质量ppm以上200质量ppm以下、其他非金属元素的总量为100质量ppm以下及剩余部份为铜(Cu)；且金(Au)相对于磷(P)的质量比为2以上100以下。本发明通过调节掺合比例而提高杨氏系数的铜合金接合线。本发明的球焊用铜合金细线，在第二接合后直接将线材向上拉起以切断时，能够避免尾线在焊针内弯曲或线材前端弯曲。
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公开(公告)号：CN105914156A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610096834.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01015 , H01L24/42
Abstract: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的，其目的在于提供一种丝的解卷性良好，并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层，在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层，并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层。此外，提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝，其特征在于，线径为10～25μm，在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层，在该金表皮层上形成有铜的渗出层，并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715111A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024 , H01L24/43 , H01L24/45
Abstract: 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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公开(公告)号：CN1326224A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01121320.5
申请日：2001-05-31
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , C22C5/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45694 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01105 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/14 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/01046 , H01L2924/01082 , H01L2924/0102 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01071 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体元件连接用金线,其中包含5～100质量ppm的Ca、5～100质量ppm的Gd、1～100质量ppm的Y,优选还含有1～100质量ppm的除Y之外的稀土元素中的至少一种,更优选地还含有1～100质量ppm的Mg、Ti、Pb中的至少一种,这些元素的总量在200质量ppm以下,其余为金和不可避免的杂质。还提供用该金线进行球键合和凸点键合的半导体元件的连接方法。
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公开(公告)号：CN105405828B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410468025.4
申请日：2014-09-15
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分包括，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：CN106486449A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610550457.9
申请日：2016-07-13
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: C22C9/00 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/45664 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203 , H01L24/45 , H01L2224/4556 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种球焊用金(Au)分散铜线，其可形成稳定的熔融焊球，以解决量产接合线的FAB造成熔融焊球的形成不稳定的问题。本发明的球焊用金(Au)分散铜线，其特征为：其是在铜(Cu)的纯度为99.9质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成钯(Pd)被覆层及金(Au)表皮层、线径为10-25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，以该金(Au)的化学分析得到的理论膜厚为0.1纳米(nm)以上10纳米(nm)以下，以电子微探仪(EPMA)的表面分析所得到的金(Au)的分布是：该金(Au)微粒子以无数点状分布于该钯(Pd)被覆层上。
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公开(公告)号：CN106486447A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610390155.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种铜合金接合线，其单位剖面积的铜合金的晶粒为50-250个，其最大粒径为接合线直径的1/3以下，且为特定方向皆在40％以下的无方向性。
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