公开(公告)号：CN105280569B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201510315540.3

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

公开(公告)号：CN106169439A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329900.X

申请日：2016-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金田中 ,  金永培 ,  金钟三 ,  朴镇亨 ,  安正勋 ,  吴赫祥 ,  李敬雨 ,  李孝善 ,  张淑禧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/088 ,  H01L21/76877

Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括：基板；下绝缘层，在基板上；下布线，在下绝缘层中；第一蚀刻停止层，覆盖下布线并包括含金属的电介质材料；以及第二蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层和下绝缘层上；绝缘夹层，在第二蚀刻停止层上；以及导电图案，延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。

公开(公告)号：CN117637691A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310714530.1

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载先 ,  崔允硕 ,  金永培

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了半导体封装件和具有该半导体封装件的层叠封装件。所述半导体封装件包括：重分布层；在重分布层上的半导体芯片；附着到多个下垫的多个外部连接端子；以及多条电路径，重分布层包括多条导电线、多个导电过孔以及多个下垫，多个导电过孔均连接到多条导电线中的至少一条，多个下垫均连接到多个导电过孔中的一个，其中，多条电路径中的每条包括多条导电线中的至少一条和多个导电过孔中的至少一个。多条电路径被构造为用于测试多条导电线和多个导电过孔并且连接到外部连接测试端子之中的至少四个。

公开(公告)号：CN115084047A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210890179.7

申请日：2016-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  奥列格·费根森 ,  金相壹 ,  金永培 ,  金志澈 ,  睦承坤 ,  河丁寿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：下封装件；以及上封装件，在下封装件上；下封装件包括：下封装基底；下半导体芯片和连接端子，在封装基底上，并且连接端子与下半导体芯片的侧表面间隔开；散热层，在下半导体芯片的顶表面上，散热层与下半导体芯片的顶表面接触；以及下模制层，覆盖下封装基底的顶表面和下半导体芯片的侧表面；上封装件包括：上封装基底；上半导体芯片，在上封装基底上；以及上模制层，覆盖上封装基底的顶表面以及上半导体芯片的顶表面和侧表面；其中，连接端子竖直延伸到高于下半导体芯片的顶表面的水平的水平，并且其中，散热层的顶表面从下模制层暴露。

公开(公告)号：CN108573949B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。

公开(公告)号：CN110797312A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910440168.7

申请日：2019-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李涩琪 ,  金永培

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065

Abstract: 提供一种半导体封装。半导体封装包括第一基板、布置在第一基板上的第一半导体芯片、布置在第一半导体芯片的侧表面上的第一组至少一个焊球、布置在第一半导体芯片和第一基板上并且与第一组至少一个焊球接触的中介层、以及布置在第一半导体芯片和中介层之间并且被配置为使第一半导体芯片的上表面的至少一部分暴露的粘合层，其中从第一基板的上表面到第一半导体芯片的上表面的第一高度大于第一组至少一个焊球的第二高度。

公开(公告)号：CN108573949A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。

公开(公告)号：CN105280569A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510315540.3

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

公开(公告)号：CN117936504A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202310826024.1

申请日：2023-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永吉 ,  徐训硕 ,  金永培 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在基底上；源极/漏极图案；第一分离结构和第二分离结构，其中，相邻的源极/漏极图案置于第一分离结构与第二分离结构之间；层间绝缘层，在源极/漏极图案以及第一分离结构和第二分离结构上；贯穿过孔，在相邻的源极/漏极图案之间，穿透层间绝缘层并且朝向基底延伸，其中，贯穿过孔的顶部与层间绝缘层的顶部共面；介电层，选择性地在层间绝缘层的顶部并且打开贯穿过孔的顶部；电源过孔，通过介电层引导以连接到贯穿过孔的顶部；电源线，在电源过孔上并且通过电源过孔电连接到贯穿过孔；电源输送网络层，在基底的底部上；以及下导体，在贯穿过孔下方。

公开(公告)号：CN108573916B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810124015.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴水贤 ,  金永培 ,  安商熏 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括金属膜和覆盖金属膜的顶表面的复合盖层。金属膜包含第一金属，并穿过形成在基板之上的绝缘膜的至少一部分。复合盖层包括覆盖金属膜的顶表面的导电合金盖层以及覆盖导电合金盖层的顶表面和绝缘膜的顶表面的绝缘盖层。导电合金盖层包含半导体元素和不同于第一金属的第二金属。绝缘盖层包含第三金属。