公开(公告)号：CN110890263A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910515871.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金石训 ,  金伶厚 ,  金仁基 ,  金兑洪 ,  朴晟见 ,  李轸雨 ,  车知勋 ,  崔溶俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。

公开(公告)号：CN102034829B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010299123.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李晓山 ,  裵相元 ,  尹普彦 ,  李根泽

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。

公开(公告)号：CN102034829A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010299123.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李晓山 ,  裵相元 ,  尹普彦 ,  李根泽

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。

公开(公告)号：CN109148327B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN111190331A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910722297.5

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李根泽 ,  赵庸真 ,  高次元 ,  朴晟见 ,  李晓山 ,  车知勋 ,  崔秀瑛

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。

公开(公告)号：CN109148327A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/007 ,  F26B3/00 ,  F26B5/005 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN109037094A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN102117698B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101740545A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225939.7

申请日：2009-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  洪昌基 ,  李在东

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法。在半导体装置的配线结构及其制造方法中，配线结构包括接触焊盘、接触插塞、间隔物和绝缘中间层图案。接触焊盘电连接到基板的接触区域。接触插塞设置在接触焊盘上并电连接到接触焊盘。间隔物面对接触焊盘的上部侧表面和接触插塞的侧壁。绝缘中间层图案具有开口、接触插塞以及设置在开口中的间隔物。配线结构的间隔物可以在形成连接到电容器的接触插塞时防止接触焊盘被清洗液损坏。