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公开(公告)号：CN117917771A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310952326.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：衬底；一对鳍型有源区，从衬底突出，以在衬底上限定沟槽区，该鳍型有源区在第一横向方向上延伸；一对源/漏区，分别在鳍型有源区上；器件隔离膜，在沟槽区中，该器件隔离膜在竖直方向上与衬底分开；蚀刻停止结构，在衬底和器件隔离膜之间填充沟槽区的至少一部分；过孔电力轨，在该对鳍型有源区之间、以及在该对源/漏区之间，该过孔电力轨穿过蚀刻停止结构的至少一部分；以及背侧电力轨，穿过衬底，该背侧电力轨与过孔电力轨的一端接触。
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公开(公告)号：CN108336025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201810043583.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
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公开(公告)号：CN117253855A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310521771.4
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN106972015B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610944717.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。
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公开(公告)号：CN106653851B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201610948671.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411536B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810891561.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。
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公开(公告)号：CN107017251B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610900212.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
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公开(公告)号：CN109554691A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811088265.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/56 , C23C16/54 , C23C16/24
Abstract: 公开了一种用于形成层的设备和一种在基板上形成层的方法。所述设备包括：转移腔室，在所述转移腔室中转移基板；沉积腔室，所述沉积腔室设置在所述转移腔室的一侧处，并且对所述基板执行沉积工艺，由此在所述基板上形成所述层；以及至少一个脱氢腔室，所述脱氢腔室设置在所述转移腔室的另一侧处，并且对所述基板上的所述层执行脱氢工艺，以减小所述层中的氢浓度。因此，在不从所述设备卸载所述基板的情况下，在所述设备中执行脱氢工艺。
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公开(公告)号：CN109411536A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810891561.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。
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