公开(公告)号：CN115995474A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211267956.9

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  尹琪重 ,  林夏珍 ,  田钟珉 ,  全宅洙 ,  赵寅成

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。

公开(公告)号：CN111430389A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201911423578.7

申请日：2019-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金振均 ,  金局泰 ,  李荣彬 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。

公开(公告)号：CN104867977A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510035301.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 林夏珍 ,  金亨俊 ,  李来寅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。

公开(公告)号：CN1734727A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN118315397A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311645200.8

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  田钟珉 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：半导体基板，包括像素区；以及栅栏结构，限定与像素区相对应的开口。栅栏结构包括：金属图案，在半导体基板上；低折射率图案，在金属图案上；以及金属氧气化物图案，在金属图案和低折射率图案之间。

公开(公告)号：CN118299387A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311207382.0

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  全宅洙

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种图像传感器。该半导体装置包括：栅极图案，其设置在衬底上；第一层间绝缘层，其在栅极图案的侧壁上；第二层间绝缘层，其在栅极图案和第一层间绝缘层上；以及第一接触插塞，其穿过第二层间绝缘层和第一层间绝缘层并且与衬底接触，其中，第一接触插塞包括第一层间绝缘层中的第一接触部分和第二层间绝缘层中的第二接触部分，第一层间绝缘层的密度小于第二层间绝缘层的密度，第一接触插塞的第一接触部分具有第一宽度，并且第一接触插塞的第二接触部分具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN117790519A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311228969.X

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田钟珉 ,  林夏珍 ,  金起园 ,  尹琪重 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括设置在基板上并包括多个光感测单元的光检测器、设置在光检测器上并被配置为透射光的夹层器件、以及包括在夹层器件上彼此间隔开的第一纳米柱和第二纳米柱且被配置为将光聚集到光检测器上的纳米棱镜，第一纳米柱包括掺有第一掺杂浓度的铝的第一折射层以及围绕第一折射层的底表面和侧表面并掺有第二掺杂浓度的铝的第二折射层，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN117012792A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310456735.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  权炯根 ,  金范锡 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  李允基 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域；在第二表面上的抗反射结构；像素分离部分，在第一衬底中并将像素彼此分离；以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上，第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。

公开(公告)号：CN116525630A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310102510.9

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  全宅洙

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

公开(公告)号：CN112018167A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010083771.7

申请日：2020-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  金东灿 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  李泰渊 ,  林夏珍

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。