公开(公告)号：CN101451259A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810184312.7

申请日：2008-12-03

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 津田孝一

IPC: C25D11/04 ,  G11B5/84

CPC classification number: C25D11/045 ,  B82Y10/00 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858

Abstract: 本发明提供一种由其表面平滑度被改进的铝薄膜构成的氧化铝纳米孔的制造方法、优选能减小用于为形成氧化铝纳米孔所用的凹点形成的压力的氧化铝纳米孔阵列制造方法，以及一种使用这种氧化铝纳米孔的磁记录介质制造方法。通过其中阳极氧化在－80℃或者更低基板温度下在基板上形成的铝薄膜、或者执行其中在阳极氧化之前使用模子来使铝薄膜具有结构同时将模子和铝薄膜保持在150℃至200℃温度的工艺的制造方法来制造氧化铝纳米孔阵列。

公开(公告)号：CN101339933A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810096579.0

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/142 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101272092A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810085824.8

申请日：2008-03-14

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 菅原聪 ,  山田耕平

IPC: H02M3/10 ,  H02H7/122

CPC classification number: H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M2001/0032 ,  Y02B70/16

Abstract: 本发明提供一种开关电源系统的控制电路和控制方法，在所述开关电源系统中，设置了延迟电路，通过该延迟电路输出控制开关设备导通/截止的脉冲信号，并使信号的下降(在开关设备为导通且脉冲信号的电平为HIGH的情形中)延迟。通过延迟电路的输出，控制开关电源系统中保护电路的工作/待机。因此，将保护电路设置为能够监视必要的系统电路中异常的存在或不存在的电路，且降低了轻负载或无负载时的功耗。

公开(公告)号：CN101256948A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810009619.3

申请日：2008-02-13

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中泽治雄

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中，锂(Li)、硫(S)或硒(Se)被用作掺杂剂，它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷(P)或砷(As)高的对硅的扩散系数。在激活步骤中，通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激光器结合使用来对离子注入表面进行激光退火。在激活步骤期间半导体激光器将激光束连续地照射到整个晶片表面。固态激光器或准分子激光器发射脉冲激光束。当按照上述配置方式时，就能防止器件失效的出现从而制造出具有令人满意的特性的半导体元件。亦有可能防止在激光照射期间产生的热引起的器件损坏。

公开(公告)号：CN101241340A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810085810.6

申请日：2004-10-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 坪田敏雄 ,  松沢新司

IPC: G03G15/08 ,  G03G15/01

CPC classification number: G03G15/0818

Abstract: 一种电子照相显影滚筒，其中在圆筒金属基体和金属凸缘之间的压合部分中的气密性以及导电性良好，且外径偏移精度也良好；并且提供一种相对廉价，在机械硬度、表面可处理性以及镀膜成形(抗腐蚀性)方面优良且能够满足预定尺寸精度的电子照相显影滚筒。电子照相显影滚筒是一种具有圆筒金属基体和金属凸缘的显影滚筒。金属凸缘具有要装配到圆筒金属基体的开口端内表面的较大直径部分以及用作与圆筒金属基体同轴的中央轴体的较小直径部分。在压配之前较大直径部分的压合部分表面具有不平坦的形状，从而由于通过切削处理而形成的圆周形纹沟所导致的最大表面粗糙度Ry为25μm到70μm。

公开(公告)号：CN101110352A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710137935.4

申请日：2007-07-17

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 加藤勉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供了半导体装置的制造方法及其制造装置。本发明的课题为在制造半导体装置时抑制制造成本，同时形成高精度的图案。印刷器具(100)具备贴付有形成图案的乳剂(3)的丝网结构(2)。丝网结构(2)的下侧配置晶片(6)，从丝网结构(2)的上侧滴下具有触变性的包含颗粒成分的印刷抗蚀剂材料(9)。接着，一边施加压力一边刮扫刮浆板(8)，在丝网结构(2)上牵拉印刷抗蚀剂材料(9)，在晶片(6)上转印印刷抗蚀剂材料(9)。接着，对印刷抗蚀剂材料(9)进行加热，形成印刷抗蚀膜(11)。然后以印刷抗蚀膜(11)为掩模对晶片(6)进行加工。其后使用N－甲基－2－吡咯烷酮(16)等抗蚀剂去除溶剂，从晶片(6)上去除印刷抗蚀膜(11)。

公开(公告)号：CN1310094C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN01121138.5

申请日：2001-05-31

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 佐佐木辉夫 ,  中村洋一 ,  铃木信二郎

IPC: G03G5/06

CPC classification number: G03G5/0696

Abstract: 公开了一种电子照相光电导体，它包括导电基片和光敏层，所述光敏层包括第一酞菁化合物电荷产生物质主要组分和第二酞菁化合物电荷产生物质次要组分，所述第二酞菁化合物的负电荷产生性高于第一酞菁化合物的负电荷产生性。还公开了其制造方法。

公开(公告)号：CN101266802B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200710169925.9

申请日：2007-11-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 及川忠昭 ,  上住洋之

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/66 ,  C23C14/16 ,  G11B5/65 ,  G11B5/851 ,  G11C11/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/265 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明提供能稳定并高性能地制作用于低Ku层的软磁性体并能实现磁化的热稳定性、磁头写入的容易性和提高SNR的垂直磁记录介质及其制造方法。该垂直磁记录介质在非磁性基体上至少依次地形成有非磁性基底层、磁记录层和保护层，磁记录层包括垂直磁各向异性常数(Ku值)相对小的低Ku层和Ku值相对大的高Ku层，低Ku层是由在将Co、Ni、Fe中的任意一种金属或它们的合金作为主体的强磁性体中，添加了氮元素的铁族元素基微晶结构构成的软磁性薄膜，并且由具有面心立方晶格或六方密堆积的结晶结构的薄膜构成，令与该膜面平行的优先结晶取向面，在面心立方晶格结构的情况下为(111)面，在六方密堆积结构的情况下为(002)面。

公开(公告)号：CN1845241B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200610051567.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 久保木孔之

IPC: G11B5/667

CPC classification number: G11B5/667

Abstract: 本发明一目的是提供一种具有软磁垫层的垂直磁记录介质，其中钴的流出量被抑制，而无需对保护层的结构加以限制。本发明的垂直磁记录介质包括：依次层压到非磁性衬底上的至少一软磁垫层、磁记录层和保护层，软磁垫层包括铁和钴，并且还包括从Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B中选择出的至少两种元素，软磁垫层的表面粗糙度在中线平均粗糙度的0.2nm到0.8nm的范围中。较好地，软磁垫层中的铁浓度在40％原子百分数到85％原子百分数的范围内，钴浓度在10％原子百分数到45％原子百分数的范围内，并且Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B的总浓度在20％原子百分数到50％原子百分数的范围内。

公开(公告)号：CN101567373A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910136307.3

申请日：2004-08-12

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  藤岛直人

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H02J7/0031

Abstract: 本发明提供双方向元件及其制造方法，该元件具有：基于沟槽的第一、二分割区；沟槽底面形成的第一导电型第一区；第一、二分割区中形成的、与沟槽侧壁和第一区连接的第二导电型第二、三区；在第一、二分割区与沟槽侧壁连接且分别与第二、三区连接形成的第一导电型第四、五区；在第一分割区的沟槽侧壁上从第一区至第四区形成的第一控制电极和从第一区至第五区形成的第二控制电极；在第四、五区上分别形成的第一、二主电极；在第一、二区之间与第一、三区之间具有杂质浓度比第一区低的第六区，在每一控制电极的内侧具有经层间绝缘膜到达第一区的导电体，具有在沟槽底面形成的、与第二、三区连接的第二导电型第七区，导电体通过层间绝缘膜到达第七区。