公开(公告)号：CN101339933A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810096579.0

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/142 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101335263A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810096583.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  西泽龙男 ,  望月英司 ,  丸山力宏

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3121 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块和半导体模块的制造方法，能够提高半导体模块的冷却效果。在绝缘板(10)的下表面上接合金属箔(11)，在绝缘板(10)的上表面上接合金属箔(12)，在金属箔(12)的上表面上接合半导体元件(14、15)。在金属箔(11)的下表面的上侧，以树脂盒(20)包围金属箔(11)、绝缘板(10)、金属箔(12)和半导体元件(14、15)，在树脂盒(20)的内表面与金属箔(11)的外周端面、以及绝缘板(10)、金属箔(12)和半导体元件(14、15)的各自的外表面的一部分之间填充有环氧树脂(30)。而且，由金属箔(11)的下表面和从树脂盒(20)露出的环氧树脂(30)形成能够与冷却体(40)紧贴的平坦面。