公开(公告)号：CN101546716A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129118.3

申请日：2009-03-25

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 谷口春隆 ,  池田良成

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/34 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/01 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/145 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10962 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/0405 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，其目的是提高半导体装置的可靠性和制造成品率。准备第一电极和第二电极通过绝缘层被分离的半导体元件，在金属箔上配置焊接材料，在焊接材料上以第三电极与其接触的方式载置半导体元件。此外，使片状的焊接材料与半导体元件的第一电极和第二电极相对，使柱电极的下端隔着焊接材料与第一电极上表面和第二电极上表面相对。而且，使焊接材料隔着绝缘层分离，通过焊接材料使第一电极与柱电极接合，并且通过焊接材料使第二电极与柱电极接合。此外，通过焊接材料使第三电极与金属箔接合。由此，能够提高半导体装置的可靠性和制造成品率。

公开(公告)号：CN101339933A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810096579.0

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/142 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。