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公开(公告)号:CN101266802B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200710169925.9
申请日:2007-11-08
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , C23C14/16 , G11B5/65 , G11B5/851 , G11C11/14 , H01F10/16 , H01F10/265 , H01F41/18
Abstract: 本发明提供能稳定并高性能地制作用于低Ku层的软磁性体并能实现磁化的热稳定性、磁头写入的容易性和提高SNR的垂直磁记录介质及其制造方法。该垂直磁记录介质在非磁性基体上至少依次地形成有非磁性基底层、磁记录层和保护层,磁记录层包括垂直磁各向异性常数(Ku值)相对小的低Ku层和Ku值相对大的高Ku层,低Ku层是由在将Co、Ni、Fe中的任意一种金属或它们的合金作为主体的强磁性体中,添加了氮元素的铁族元素基微晶结构构成的软磁性薄膜,并且由具有面心立方晶格或六方密堆积的结晶结构的薄膜构成,令与该膜面平行的优先结晶取向面,在面心立方晶格结构的情况下为(111)面,在六方密堆积结构的情况下为(002)面。
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公开(公告)号:CN100485785C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200510064386.3
申请日:2005-04-15
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7315
Abstract: 本发明的一个目的是提供用于垂直磁记录介质的基板,该基板表现出充分的生产能力,起到作为垂直磁记录介质的软磁性衬里层的作用,并且几乎不产生噪声。本发明的另一个目的是提供使用此基板的垂直磁记录介质。该磁盘基板(10)至少包括通过一种无电镀膜方法形成于非磁性基体(1)上的软磁性底层(2)。软磁性底层(2)的热膨胀系数大于非磁性盘状基体(1)的热膨胀系数。饱和磁致伸缩常数λs满足λs≥-1×10-5的关系。
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