公开(公告)号：CN101256948A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810009619.3

申请日：2008-02-13

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 中泽治雄

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中，锂(Li)、硫(S)或硒(Se)被用作掺杂剂，它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷(P)或砷(As)高的对硅的扩散系数。在激活步骤中，通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激光器结合使用来对离子注入表面进行激光退火。在激活步骤期间半导体激光器将激光束连续地照射到整个晶片表面。固态激光器或准分子激光器发射脉冲激光束。当按照上述配置方式时，就能防止器件失效的出现从而制造出具有令人满意的特性的半导体元件。亦有可能防止在激光照射期间产生的热引起的器件损坏。

公开(公告)号：CN101494223A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910009888.4

申请日：2009-01-22

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 根本道生 ,  中泽治雄

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/102 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/263 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N+第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。然后，P+集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。从N+第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P+集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。