公开(公告)号：CN1845241B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200610051567.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 久保木孔之

IPC: G11B5/667

CPC classification number: G11B5/667

Abstract: 本发明一目的是提供一种具有软磁垫层的垂直磁记录介质，其中钴的流出量被抑制，而无需对保护层的结构加以限制。本发明的垂直磁记录介质包括：依次层压到非磁性衬底上的至少一软磁垫层、磁记录层和保护层，软磁垫层包括铁和钴，并且还包括从Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B中选择出的至少两种元素，软磁垫层的表面粗糙度在中线平均粗糙度的0.2nm到0.8nm的范围中。较好地，软磁垫层中的铁浓度在40％原子百分数到85％原子百分数的范围内，钴浓度在10％原子百分数到45％原子百分数的范围内，并且Si、Ni、Ta、Nb、Zr、Ti、Cr、Mo和B的总浓度在20％原子百分数到50％原子百分数的范围内。

公开(公告)号：CN100492496C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510104012.X

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 久保木孔之

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  H01F10/08

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65 ,  G11B5/656 ,  G11B5/7379

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种垂直磁记录介质，它能改善写的性能，但不会破坏热稳定性和电磁转换特性，如噪音性能。本发明的垂直磁记录介质包含至少一个非磁性底层4和一个磁性层5。经过掠入射X射线衍射测定，铁磁性晶粒的比例A/B在0.2-1.5之间，其中A表示在x-轴69.5°角度上得到的fcc(111)峰的积分强度，B表示在x-轴60.2°角度上得到的hcp(101)峰的积分强度。所述介质中较好包含软磁性背衬层2和籽晶层3。籽晶层3较好由无定形结构层与fcc或hcp晶体结构层层合而成。