公开(公告)号：CN101458936A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810177164.6

申请日：2008-12-04

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 津田孝一

IPC: G11B5/73 ,  C04B41/50 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/7315

Abstract: 本发明提供一种用于记录介质的基板，该基板在加热期间显示低热导率而在冷却期间显示高热导率、具有高机械强度、在沉积磁记录介质的组成层期间可对其自由施加偏压、并且适于热辅助记录方法。本发明的用于记录介质的基板具有带中心孔的圆盘形，并包括：主面；邻近中心孔的基板内周端面；邻近主面和基板内圆周端面的基板内圆周倒角部；置于主面与基板内圆周端面相反一侧上的基板外圆周端面；以及邻近主面和基板外圆周端面的基板外圆周倒角部，用于记录介质的基板进一步具有单晶硅支承构件和形成于该单晶硅支承构件上的SiO2膜，并且该SiO2膜的主面上的膜厚度小于10nm。本发明还提供使用这种基板的磁记录介质。

公开(公告)号：CN101451259A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810184312.7

申请日：2008-12-03

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 津田孝一

IPC: C25D11/04 ,  G11B5/84

CPC classification number: C25D11/045 ,  B82Y10/00 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858

Abstract: 本发明提供一种由其表面平滑度被改进的铝薄膜构成的氧化铝纳米孔的制造方法、优选能减小用于为形成氧化铝纳米孔所用的凹点形成的压力的氧化铝纳米孔阵列制造方法，以及一种使用这种氧化铝纳米孔的磁记录介质制造方法。通过其中阳极氧化在－80℃或者更低基板温度下在基板上形成的铝薄膜、或者执行其中在阳极氧化之前使用模子来使铝薄膜具有结构同时将模子和铝薄膜保持在150℃至200℃温度的工艺的制造方法来制造氧化铝纳米孔阵列。

公开(公告)号：CN101075442A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710106328.1

申请日：2007-05-14

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 津田孝一 ,  小林良治

IPC: G11B5/73 ,  C03C3/093

Abstract: 一个目的是提供一种玻璃基板，该基板具有低模塑温度，制造之后具有极佳的耐久性，还具有更少的表面缺陷；并提供信息记录介质，其具有极佳的低温加工性能和极佳的耐候性。提供了一种信息记录介质基板，其特征是该基板为包含碱金属的玻璃材料的模塑制品，所述玻璃材料的组成中至少包含B，Al，碱金属R，Zn和Si，而且它们以氧化物计摩尔比满足以下关系式：(I)0.8≤(R2O含量－Al2O3含量)/B2O3含量≤1.2，(II)9.0摩尔％≤B2O3含量≤14.0摩尔％，(III)3.0摩尔％≤Al2O3含量≤7.0摩尔％，(IV)6.0摩尔％≤ZnO含量≤18.0摩尔％，(V)40.0摩尔％≤SiO2含量其中R表示碱金属原子；该信息记录介质包括基板和形成于所述基板上的磁性层，本发明还涉及制造所述信息记录介质基板和信息记录介质的方法。