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公开(公告)号：CN103715326A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN102208472A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN101397693B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810072030.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长一层AlN缓冲层，然后继续利用MOCVD技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳CCl4。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。
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公开(公告)号：CN219738982U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202320536800.X
申请日：2023-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15 , G09F9/33
Abstract: 本实用新型提供一种Micro‑LED显示装置，该Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN204144308U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420392581.3
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有防扩层的外延结构和发光二极管，所述的外延结构和发光二极管都包括：有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极，在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极；在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层，所述防扩层至少包括第二防扩层，第二防扩层被氧化为氧化物介质膜，防扩层为无导电型掺杂的绝缘层；所述的发光二极管还包括：在防扩层中形成导电通道，且在防扩层上形成金属反射镜，金属反射镜位于防扩层与衬底之间。本实用新型可以使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204102927U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420449785.6
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本实用新型可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN202816962U
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201220294751.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本实用新型公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本实用新型解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿，进一步提高峰值隧穿电流和更小的串联电阻，从而满足高倍聚光太阳电池的应用。
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公开(公告)号：CN218101293U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202222331546.8
申请日：2022-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN214226936U
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202120160090.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有应力释放层，以解决因势阱层和势垒层之间、以及势阱层与第一型半导体层之间所同时存在的晶格失配问题，从而避免因累加的晶格失配所产生的应力对电子和空穴在空间的复合效率的影响。
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公开(公告)号：CN204303856U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420601218.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本实用新型可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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