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公开(公告)号:CN104659096B
公开(公告)日:2019-12-31
申请号:CN201410433124.9
申请日:2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道,通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此,在其中电压不施加到栅电极的截止状态中,由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒,载流子不会移动。结果,石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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公开(公告)号:CN109324474A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201810722896.2
申请日:2018-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/0035
Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片,其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上,使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成:在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。
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公开(公告)号:CN109037222A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810558824.9
申请日:2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
CPC classification number: H01L29/7887 , B82Y10/00 , G11C11/54 , G11C11/56 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C13/025 , G11C16/0441 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2211/5612 , G11C2213/35 , H01L27/11521 , H01L29/0673 , H01L29/40114 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/49 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L27/11551
Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。
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公开(公告)号:CN108572512A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201711188432.X
申请日:2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70983 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F7/70283 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G03F7/0035
Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
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公开(公告)号:CN107768517A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710362544.6
申请日:2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/04
Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间,并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。
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公开(公告)号:CN107359808A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710303449.9
申请日:2017-05-03
IPC: H02N1/04
Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括:彼此间隔开的第一电极和第二电极;第一带电物体,在第一电极的面对第二电极的表面上;第二带电物体,提供在第一带电物体和第二电极之间;以及接地单元,配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。
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