-
公开(公告)号：CN108431693A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680075231.6
申请日：2016-10-11
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 玛丽亚·皮特 , 埃里克·阿奇里斯·阿贝格 , A·J·M·吉斯贝斯 , J·H·克洛特韦克 , 马克西姆·A·纳萨勒维奇 , W·T·A·J·范登艾登 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , J·P·M·B·沃缪伦 , D·F·弗莱斯 , W-P·福尔蒂森
CPC分类号： G03F7/70958 , G03F1/62 , G03F7/70983 , G21K2201/067
摘要： 披露了制造用于光刻设备的表膜的方法。在一种配置中，该方法包括将至少一个石墨烯层(2)沉积在衬底(6)的平坦表面(4)上。该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分(12)。该方法还包括移除第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜(14)。该独立隔膜由第二衬底部分支撑。
-
公开(公告)号：CN104714374A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510142259.4
申请日：2009-04-30
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70175 , G03F7/70858 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
摘要： 一种辐射系统，配置成产生辐射束。所述辐射系统包括：辐射源(50)，配置成产生发射辐射和碎片的等离子体；辐射收集器(70)，配置成引导所收集的辐射至辐射束发射孔(60)。磁场产生装置(200)配置成产生具有磁场强度梯度的磁场，以将等离子体引导离开辐射收集器(70)。
-
公开(公告)号：CN102007455B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN200980113525.3
申请日：2009-04-14
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
发明人： R·G·M·兰斯博根 , G·H·哈罗德 , R·J·约翰森 , H·J·G·范德维登
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70741 , G03F7/70983 , H01L21/682
摘要： 本发明提供了一种用于在真空光刻系统中移动和更换掩模版的方法和设备，且具有最小的颗粒产生和脱气。在本发明的例子中，可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置在距离RED的旋转轴线基本上等距的位置上。
-
公开(公告)号：CN102681362A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210129023.3
申请日：2008-02-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70983
摘要： 本发明公开了一种具有等离子体辐射源的设备和形成辐射束的方法以及光刻设备。所述设备包括等离子体辐射源(24)和翼片阱(25)，该翼片阱设置有基本上平行于等离子体源(20)的辐射的方向延伸的多个薄翼片(20)。在等离子体辐射源(20)和翼片阱(24)之间设置格栅(22)。在格栅(22)和翼片阱(24)之间设置空间。该设备还包括电势应用电路(28)，其构造并布置成施加电势到格栅(22)上，使得格栅(22)排斥由等离子体辐射源(22)发射的电子并在格栅(20)和翼片阱(24)之间产生正的空间电荷，以使由等离子体辐射源(20)发射的离子偏转到翼片阱(24)。
-
公开(公告)号：CN102681334A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140722.8
申请日：2008-07-02
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： G03F1/64
CPC分类号： G03F1/64 , G03F7/70783 , G03F7/70791 , G03F7/70983
摘要： 本发明提供大型表膜构件的框体的把持方法。该框体具有由多条边构成的多边形形状的框体、由粘接在该框体的上缘面的表膜和涂敷在该框体的下缘面的粘合材料构成，在把持上述框体的最长边的长度为1m以上的大型表膜构件的上述框体时，上述框体在所有的边部上分别具有把持用的凸部或凹部，通过在上述框体的各边部上分别同时把持至少1处以上的把持用的凸部或凹部，能够可靠地把持框体，而且在将表膜构件粘贴于光掩模时不会产生歪斜、挠曲而简单地将表膜构件从容纳容器取出。
-
公开(公告)号：CN102621817A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210056238.7
申请日：2005-09-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·巴尼内 , J·H·J·莫尔斯 , C·I·M·A·斯皮 , D·J·W·克鲁德 , P·C·扎姆
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B08B7/0035 , B08B17/04 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： 沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
-
公开(公告)号：CN101313385B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200680043555.8
申请日：2006-11-22
申请人： 东京应化工业株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , C11D1/66 , H01L21/304 , C11D3/43
CPC分类号： C11D3/43 , C11D1/66 , C11D1/667 , C11D1/72 , C11D3/18 , C11D3/181 , C11D3/182 , C11D3/184 , C11D3/188 , G03F7/2041 , G03F7/70341 , G03F7/70925 , G03F7/70983
摘要： 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。
-
公开(公告)号：CN102119366A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131416.4
申请日：2009-07-13
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/70575 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/00
摘要： 一种光刻设备，包括：源，配置成使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束；照射系统，配置成在光刻设备操作期间调节辐射束并且接收氢气；和支撑结构，构造成保持图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。衬底台构造成保持衬底，以及投影系统配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。光刻设备配置成使得进入照射系统的辐射束包括由等离子体生成的至少50％的不想要的辐射，并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。
-
公开(公告)号：CN102119365A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131196.5
申请日：2009-07-30
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70883 , G03F7/70908 , G03F7/70983 , H05G2/003
摘要： 一种光刻设备(1)，包括：辐射源(SO)，被配置成产生极紫外辐射，所述辐射源(SO)包括：腔(210)，在所述腔中产生等离子体(225)；收集器反射镜(270)，被配置以反射由所述等离子体(225)发射的辐射；和碎片减缓系统(230)，所述碎片减缓系统(230)包括：气体供给系统(235)，被配置以朝向所述等离子体供给第一气流(240)，所述第一气流(240)被选择以将由所述等离子体(225)产生的碎片热能化；和多个气体岐管(247)，被布置在靠近所述收集器反射镜(270)的位置处，所述气体岐管被配置成将第二气流(250)供给到所述腔(210)内，所述第二气流(250)被朝向所述等离子体(225)引导，以防止被热能化的碎片沉积到所述收集器反射镜(270)上。
-
公开(公告)号：CN102057332A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121967.2
申请日：2009-05-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： R·施密特兹 , T·范埃姆派尔 , M·姆伊特詹斯 , 程伦 , F·詹森 , W·范海尔登 , R·沃思鲁伊斯 , P·斯加里曼 , A·莱克斯蒙德 , E·尼埃乌库普 , B·伯特斯 , M·莱蒙 , R·范德格拉夫 , M·德克鲁恩 , H·维尔苏伊斯
CPC分类号： G03F7/70891 , G02B7/008 , G03F7/70875 , G03F7/709 , G03F7/70983 , G21K2201/067
摘要： 提供一种用于热调节光学元件的方法，所述方法包括：用辐射照射光学元件的步骤；不用辐射照射所述光学元件的步骤；在所述光学元件和保持在调节流体储存器内的调节流体之间实现热流动；和提供所述调节流体的流体流动，以提供热调节后的流体至所述储存器。所述流体在所述光学元件的照射期间的流量低于所述光学元件不被照射时所述流体的流量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
153 条记录 (耗时 0.022 秒)
