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公开(公告)号：CN101313385B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200680043555.8
申请日：2006-11-22
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , C11D1/66 , H01L21/304 , C11D3/43
CPC classification number: C11D3/43 , C11D1/66 , C11D1/667 , C11D1/72 , C11D3/18 , C11D3/181 , C11D3/182 , C11D3/184 , C11D3/188 , G03F7/2041 , G03F7/70341 , G03F7/70925 , G03F7/70983
Abstract: 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。
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公开(公告)号：CN101076759B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200580042542.4
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种新颖的光蚀刻用清洗液，该清洗液对抗蚀图案而言，是为了减少制品的表面缺陷的所谓瑕疵、防止水冲洗时的图案破坏的发生、又赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐受性、抑制图案的收缩而使用的，且在储存中又不会发生因细菌造成的污染。该光蚀刻用清洗液，包括含有下述通式(式中的R1为可被氧原子中断的碳原子数8～20的烷基或羟烷基；R2及R3为碳数1～5的烷基或羟烷基)所示的含氧化胺化合物的水性溶液。[化学式1]
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公开(公告)号：CN102964837A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210308808.7
申请日：2012-08-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。一种透明膜用组合物，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接键与缩合生成物(A)中的硅原子键和的甲基相对于缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4-n (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同、也可以不同。]Si(OR2)4 (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同、也可以不同]。
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公开(公告)号：CN1947067B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580012690.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN1947065B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200580012685.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 提供基于与目前防止图案崩溃的方法完全不同的原理的冲洗处理，不损害需要形成的图案的物性，制造高品质的制品的方法，该方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，对抗蚀图案表面上的接触液，进行使接触角降低为40度以下的处理，以及随后的使其上升为70度以上的处理后，进行干燥，形成抗蚀图案的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102964837B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210308808.7
申请日：2012-08-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。一种透明膜用组合物，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接键与缩合生成物(A)中的硅原子键和的甲基相对于缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4‑n (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同、也可以不同。]Si(OR2)4 (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同、也可以不同]。
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公开(公告)号：CN106067416A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610243939.X
申请日：2016-04-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 泽田佳宏
IPC: H01L21/225
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L21/2225 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种扩散剂组合物，即使在以纳米级的膜厚将所述扩散剂组合物涂布在半导体衬底上时，也能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：使扩散剂组合物中含有杂质扩散成分(A)、和下式(1)表示的可通过水解而生成硅烷醇基的Si化合物(B)，并使扩散剂组合物的水分含量为0.05质量％以下。式(1)中，R为烃基，n为整数3或4。R4－nSi(NCO)n ···(1)。
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公开(公告)号：CN105489479A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510644848.2
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 泽田佳宏
IPC: H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，所述方法即使在使用在其表面具有存在纳米级的微小空隙的三维结构的半导体基板时，也能够抑制半导体基板中的缺陷的发生、同时良好且均匀地使杂质扩散成分扩散至包括微小空隙的整个内表面在内的、半导体基板的涂布扩散剂组合物的全部位置。使用含有杂质扩散成分(A)和可通过水解生成硅醇基的Si化合物(B)的扩散剂组合物，在半导体基板表面形成膜厚为30nm以下的涂布膜，从而使杂质扩散成分良好且均匀地从涂布膜扩散至半导体基板。
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公开(公告)号：CN102591160B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210078008.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , C08F226/10 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN101010639A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028703.4
申请日：2005-08-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/32
Abstract: 本发明提供一种新型光蚀刻用冲洗液，其对于光致抗蚀图案来说，不会损坏产品品质，减少其表面缺陷(即Defect)，赋予其对于电子射线照射的抗性，并可用于抑制抗蚀图案的收缩；本发明还提供一种使用该冲洗液的抗蚀图案形成方法。本发明涉及一种光蚀刻用冲洗液，其包括含有(A)分子结构中具有氮原子的水溶性和/或碱可溶聚合物，及(B)至少一种选自脂肪族醇类及其烷基醚化物的水溶液；使用该冲洗液，通过(1)在基板上设置抗蚀膜的步骤；(2)通过掩模图案对该光致抗蚀膜选择性地进行曝光处理的步骤；(3)进行曝光后加热处理的步骤；(4)碱性显影处理的步骤；以及(5)以前述光蚀刻用冲洗液加以处理的步骤，形成抗蚀图案。
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