公开(公告)号：CN101313385B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200680043555.8

申请日：2006-11-22

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 越山淳 ,  泽田佳宏 ,  横谷次朗 ,  平野智之

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C11D1/66 ,  H01L21/304 ,  C11D3/43

CPC分类号： C11D3/43 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/72 ,  C11D3/18 ,  C11D3/181 ,  C11D3/182 ,  C11D3/184 ,  C11D3/188 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70983

摘要： 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。

公开(公告)号：CN101313385A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043555.8

申请日：2006-11-22

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 越山淳 ,  泽田佳宏 ,  横谷次朗 ,  平野智之

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C11D1/66 ,  H01L21/304 ,  C11D3/43

CPC分类号： C11D3/43 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/72 ,  C11D3/18 ,  C11D3/181 ,  C11D3/182 ,  C11D3/184 ,  C11D3/188 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70983

摘要： 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。