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公开(公告)号：CN102964837B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210308808.7
申请日：2012-08-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。一种透明膜用组合物，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接键与缩合生成物(A)中的硅原子键和的甲基相对于缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4‑n (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同、也可以不同。]Si(OR2)4 (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同、也可以不同]。
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公开(公告)号：CN107870525A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710606628.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种控制基板的表面物性的方法，不依赖于基板的种类而能得到期望的表面物性，并抑制图案的剥落。一种控制基板的表面物性的方法，包括：涂布工序，对基板的表面涂布含环氧基树脂，所述表面含有至少两种金属；烘烤工序，对所述基板进行烘烤。
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公开(公告)号：CN107210336A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102964837A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210308808.7
申请日：2012-08-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明提供能够对经高温烧成而形成的透明膜赋予良好的抗裂性和透明性的技术。一种透明膜用组合物，所述透明膜经500℃以上的高温烧成而形成，所述组合物含有将下述通式(1)表示的第1烷氧基硅烷和下述通式(2)表示的第2烷氧基硅烷作为起始原料的缩合生成物(A)、和有机溶剂(B)，直接键与缩合生成物(A)中的硅原子键和的甲基相对于缩合生成物(A)的含量为15～25％。(CH3)nSi(OR1)4-n (1)[通式(1)中，R1是碳原子数1～5的烷基。n是1或2的整数。多个(OR1)可以相同、也可以不同。]Si(OR2)4 (2)[通式(2)中，R2是碳原子数1～5的烷基。多个(OR2)可以相同、也可以不同]。
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公开(公告)号：CN107210336B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580073117.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105934833B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105934833A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201480002228.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 独立行政法人理化学研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。
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公开(公告)号：CN105283968A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480012061.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 丸文株式会社 , 东芝机械株式会社 , 国立研究开发法人理化学研究所 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社爱发科 , 东京应化工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , G06F17/10 , G06F17/5009 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。
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