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公开(公告)号：CN102591160B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210078008.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , C08F226/10 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN101010639A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028703.4
申请日：2005-08-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/32
Abstract: 本发明提供一种新型光蚀刻用冲洗液，其对于光致抗蚀图案来说，不会损坏产品品质，减少其表面缺陷(即Defect)，赋予其对于电子射线照射的抗性，并可用于抑制抗蚀图案的收缩；本发明还提供一种使用该冲洗液的抗蚀图案形成方法。本发明涉及一种光蚀刻用冲洗液，其包括含有(A)分子结构中具有氮原子的水溶性和/或碱可溶聚合物，及(B)至少一种选自脂肪族醇类及其烷基醚化物的水溶液；使用该冲洗液，通过(1)在基板上设置抗蚀膜的步骤；(2)通过掩模图案对该光致抗蚀膜选择性地进行曝光处理的步骤；(3)进行曝光后加热处理的步骤；(4)碱性显影处理的步骤；以及(5)以前述光蚀刻用冲洗液加以处理的步骤，形成抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN102591160A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210078008.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , C08F226/10 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN1947066B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200580012689.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/32 , C11D3/245 , C11D3/349 , C11D11/0041 , G03F7/322
Abstract: 本发明是提供一种可将接触角40度以下的容易润湿的抗蚀图案表面改质成接触角70度以上，可有效防止图案崩溃，制造高品质制品的新颖冲洗液。该冲洗液包含下述溶液，所述溶液含有选自通式(I)(式中的R1及R2是各自氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳原子数为1～5的烷基或取代烷基，R1与R2可以相互连接并与和两者结合的SO2及N一同形成五员环或六员环)、通式(II)(式中的Rf是氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数1～5的烷基或取代烷基，m及n是整数2或3)、或通式Rf’-COOH(式中的Rf’是碳数8～20且至少一部分被氟化的烷基)表示的水或醇溶剂可溶性氟化合物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1947066A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012689.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/32 , C11D3/245 , C11D3/349 , C11D11/0041 , G03F7/322
Abstract: 本发明是提供一种可将接触角40度以下的容易润湿的抗蚀图案表面改质成接触角70度以上，可有效防止图案崩溃，制造高品质制品的新颖冲洗液。该冲洗液包含下述溶液，所述溶液含有选自通式(I)(式中的R1及R2是各自氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳原子数为1～5的烷基或取代烷基，R1与R2可以相互连接并与和两者结合的SO2及N一同形成五员环或六员环)、通式(II)(式中的Rf是氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数1～5的烷基或取代烷基，m及n是整数2或3)、或通式Rf’－COOH(式中的Rf’是碳数8～20且至少一部分被氟化的烷基)表示的水或醇溶剂可溶性氟化合物中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1947067B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580012690.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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公开(公告)号：CN1947065B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200580012685.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 提供基于与目前防止图案崩溃的方法完全不同的原理的冲洗处理，不损害需要形成的图案的物性，制造高品质的制品的方法，该方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，对抗蚀图案表面上的接触液，进行使接触角降低为40度以下的处理，以及随后的使其上升为70度以上的处理后，进行干燥，形成抗蚀图案的方法。
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公开(公告)号：CN101076759B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200580042542.4
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种新颖的光蚀刻用清洗液，该清洗液对抗蚀图案而言，是为了减少制品的表面缺陷的所谓瑕疵、防止水冲洗时的图案破坏的发生、又赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐受性、抑制图案的收缩而使用的，且在储存中又不会发生因细菌造成的污染。该光蚀刻用清洗液，包括含有下述通式(式中的R1为可被氧原子中断的碳原子数8～20的烷基或羟烷基；R2及R3为碳数1～5的烷基或羟烷基)所示的含氧化胺化合物的水性溶液。[化学式1]
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公开(公告)号：CN101076759A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580042542.4
申请日：2005-11-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种新颖的光蚀刻用清洗液，该清洗液对抗蚀图案而言，是为了减少制品的表面缺陷的所谓瑕疵、防止水冲洗时的图案破坏的发生、又赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐受性、抑制图案的收缩而使用的，且在储存中又不会发生因细菌造成的污染。该光蚀刻用清洗液，包括含有下述通式(式中的R1为可被氧原子中断的碳原子数8～20的烷基或羟烷基；R2及R3为碳数1～5的烷基或羟烷基)所示的含氧化胺化合物的水性溶液。
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公开(公告)号：CN1947067A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012690.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
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