-
公开(公告)号：CN106986792A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710046671.5
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C07C303/32 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07D493/08
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1－1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w‑1)表示的离子除外)。
-
公开(公告)号：CN102591160B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210078008.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/26 , C08F226/10 , C08F226/06
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
-
公开(公告)号：CN101464628A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810185226.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/00 , C07C309/00
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1－1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，RX－Q3－O－Q2－Y1－SO3－Z+…(b1－1)；式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但通式(w－1)表示的离子除外)。
-
公开(公告)号：CN1693994A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510069037.0
申请日：2005-04-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/31144
Abstract: 本发明公开一种涂膜形成剂、及使用该涂膜形成剂形成微细图案的方法，该涂膜形成剂是一种按以下方式用于形成微缩图案的涂膜形成剂：在具有光致抗蚀剂图案的基板上涂覆该涂膜形成剂，利用该涂膜的热收缩作用缩小光致抗蚀剂图案的间隔，从而形成微细图案，其特征在于，该涂膜形成剂含有至少以甲基丙烯酸和/或甲基丙烯酸甲酯作为结构单体的水溶性聚合物。通过本发明，能够提供一种涂膜形成剂，以及使用该涂膜形成剂形成微细图案的方法，该涂膜形成剂的曝光极限范围宽，能够使光致抗蚀剂图案的尺寸控制反映为微细化图案的尺寸控制性，并且使热收缩作用后的光致抗蚀剂图案的形状保持为矩形而避免其顶部变为弧形，热收缩率高。
-
公开(公告)号：CN102866585A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210243584.6
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D493/18 , C07D333/46
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101464628B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810185226.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/028 , G03F7/00 , C07C309/00
Abstract: 本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，RX-Q3-O-Q2-Y1-SO3-Z+ …(b1-1)；式中，RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q2和Q3分别独立地为单键或2价的连接基团；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z+是有机阳离子(但下述通式(w-1)表示的离子除外)。
-
公开(公告)号：CN1947067B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580012690.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种新型光刻用冲洗液，及使用其的抗蚀图案的形成方法，所述光刻用冲洗液是，对于光致抗蚀图案，可以减少制品的表面缺陷，即所谓缺陷，并赋予抗蚀剂对电子射线照射的耐性，抑制图案收缩所使用的。调制包括含有在分子结构中具有氮原子的水溶性树脂的溶液的光刻用冲洗液，使用其通过以下工序形成抗蚀图案：(A)在基板上设置光致抗蚀膜的工序、(B)通过掩模图案对该光致抗蚀膜进行选择性曝光处理工序、(C)曝光后加热(PEB)处理工序、(D)碱性显影处理工序，及(E)使用上述光刻用冲洗液的处理工序。
-
公开(公告)号：CN1947065B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200580012685.0
申请日：2005-04-20
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 提供基于与目前防止图案崩溃的方法完全不同的原理的冲洗处理，不损害需要形成的图案的物性，制造高品质的制品的方法，该方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，对抗蚀图案表面上的接触液，进行使接触角降低为40度以下的处理，以及随后的使其上升为70度以上的处理后，进行干燥，形成抗蚀图案的方法。
-
公开(公告)号：CN100465798C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410011596.1
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基亚乙基脲和N-丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基亚乙基脲的共聚物。
-
公开(公告)号：CN1652023A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410011595.7
申请日：2002-07-04
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及在用于降低基板上的光刻胶层的图案尺寸的所谓涂覆热流动方法中的改进来实现光刻胶图案细度的增加，其中将形成在光刻胶层上的水溶性树脂涂层进行热处理，使该涂层产生热收缩，同时减小图案尺寸，随后通过水洗除去涂层。该方法的改进是通过下述步骤实现的：除了水溶性树脂例如基于聚丙烯酸基的聚合物之外，在涂料水溶液中混合水溶性胺化合物例如三乙醇胺。进一步的改进是这样实现的：从特殊的共聚物中选择水溶性树脂，所述特殊共聚物包括(甲基)丙烯酸和含氮化合物例如N－乙烯基吡咯烷酮、N－乙烯基咪唑啉酮和N－丙烯酰基吗啉的共聚物以及在特定共聚比下的N－乙烯基吡咯烷酮和N－乙烯基咪唑啉酮的共聚物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
