-
公开(公告)号：CN104937494A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380065901.2
申请日：2013-11-26
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/70908
摘要： 本发明公开了一种用于将EUV辐射束投影到衬底(400)的目标部分上的所述类型的设备的衬底支撑件。该衬底支撑件包括：构造成保持衬底的衬底台；用于支撑衬底台的支撑块(420)；以及设置成围绕衬底台的盖板(450’)。盖板的顶表面和安装在衬底台上的衬底的顶表面都大致处于同一高度水平。至少一个传感器单元(430)定位在衬底支撑件上，并且其顶表面也处于与盖板和衬底的顶表面相同的高度水平上。另外，公开了一种包括这样的衬底支撑件的EUV光刻设备。
-
公开(公告)号：CN102859442B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180019319.3
申请日：2011-03-18
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , G03F7/70933 , G21K5/04
摘要： 一种收集器反射镜组件(302)包括：包括反射表面(304)的收集器反射镜(co’)和具有边缘(308)的孔(306)。所述孔延伸通过反射表面。所述组件还包括管状主体(310)，所述管状主体(310)具有内表面(312)和外表面(314)。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流(GF)。所述管状主体的外表面和孔的边缘形成开口(316)，所述开口布置成引导另外的气流(GF’)，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。
-
公开(公告)号：CN102576195B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080042458.3
申请日：2010-09-24
申请人： ASML荷兰有限公司 , 赛默股份公司
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70808 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , H05G2/003 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了一种EUV光刻设备(100)，包括：源收集器设备(SO)，其中通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体(210)来产生极紫外辐射。所述源收集器设备(SO)包括腔(310)，所述腔(310)与腔外部的引导通路(320)流体连通。用于循环缓冲气体的泵(BPS)是引导通路(320)的一部分，并提供闭合回路缓冲气体流(222)。流动通过引导通路(320)的气体穿过气体分解器(TD1)，其中燃料材料和缓冲气体材料的化合物被分解，使得分解的缓冲气体材料可以被供给回至闭合回路流动路径(222)中。
-
公开(公告)号：CN103918026A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053938.9
申请日：2012-08-13
申请人： 谷歌公司
CPC分类号： G03F7/70708 , G03F7/707 , G03F7/70875 , G03F7/70908 , G10L15/08 , G10L2015/223 , H01L21/6831
摘要： 包括在计算机存储介质上被编码的计算机程序在内的用于预测语音识别结果的稳定性的方法、系统和装置。在一个方面，一种方法包括确定词保持在增量语音识别器的顶端假设中的时间长度或者时机数量，并且基于该时间长度或者时机数量向该词分配稳定性度量。
-
公开(公告)号：CN101790763B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200880105064.0
申请日：2008-08-15
申请人： 西默股份有限公司
IPC分类号： G21G4/00
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70908
摘要： 一种气体流动管理系统，包括：至少部分地围住第一空间和第二空间的第一和第二密封壁；在第一空间中产生等离子体的系统，该等离子体发出远紫外光；约束从第一空间流向第二空间的流动的伸长本体，该本体至少部分地围住一过道并具有使EUV光从第一空间进入过道的第一开口端以及使EUV光离开过道进入第二空间的第二开口端，该本体的形状建立相对第一和第二端具有减小横截面积的位置；以及离开一孔口的气体流，该孔口被设置成在本体的第一端和具有减小横截面积的位置之间的某一位置将气体引入所述过道。
-
公开(公告)号：CN102084299B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980126024.9
申请日：2009-07-13
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70033 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G03F7/70908 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： 一种用在光刻设备中的源模块(10)被构造以产生极紫外(EUV)和伴随辐射，且包括被配置以与EUV辐射的源协作的缓冲气体。所述缓冲气体对于所述EUV辐射具有至少50％的透射率，对于所述伴随辐射具有至少70％的吸收率。
-
公开(公告)号：CN102859442A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019319.3
申请日：2011-03-18
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F7/70908 , G03F7/70916 , G03F7/70933 , G21K5/04
摘要： 一种收集器反射镜组件(302)包括：包括反射表面(304)的收集器反射镜(co’)和具有边缘(308)的孔(306)。所述孔延伸通过反射表面。所述组件还包括管状主体(310)，所述管状主体(310)具有内表面(312)和外表面(314)。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流(GF)。所述管状主体的外表面和孔的边缘形成开口(316)，所述开口布置成引导另外的气流(GF’)，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。
-
公开(公告)号：CN1892441B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610103121.4
申请日：2006-07-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： L·A·斯杰梅诺克 , V·Y·巴尼内 , J·J·史米特斯 , L·A·范登维尔登波格 , A·A·施米特 , A·C·瓦辛克 , P·P·A·A·布罗姆 , E·L·W·弗帕兰 , A·J·范德帕斯
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70908 , G03F7/70916
摘要： 一种光刻装置，包括具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射系统和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器。所述污染物收集器包括多个限定通道的薄片或板，所述通道布置成大体上平行于所述辐射光束的传播方向。所述薄片或板相对辐射光束的光轴大体上径向地定向。所述污染物收集器具有气体喷射器，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。
-
公开(公告)号：CN101034261B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610024531.X
申请日：2006-03-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03B27/42 , G03F7/70908
摘要： 一种消除用于集成电路器件制造的光刻工艺中的污染物的方法和设备。该方法包括将光阻材料沉积在半导体基片的表面上。净化气流被紧靠光学元件提供以防止来自曝光的光阻材料的蒸汽与所述光学元件进行接触。在一个实施例中，净化气体流入穿孔和开端的封装中，在所述封装中光学元件以透镜形式提供。所述封装的一个开端耦合到所述透镜而另一开端定位于半导体基片的表面之上。所述封装的穿孔促进净化气体到其的运动，消除了与来自经显影的阻挡的蒸汽相接触以及不希望的固体污染沉积在透镜上。
-
公开(公告)号：CN101356476A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050704.3
申请日：2006-12-01
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70883 , G03F7/70908 , G03F7/70983
摘要： 本发明公开了一种极紫外光刻设备，所述极紫外光刻设备包括极紫外辐射源、光学元件(50)和清洁装置(95)。所述清洁装置(95)包括氢根源(103)以及与所述氢根源(103)连通的流管(104)。清洁装置(95)配置用于提供氢根流(96)，流管(104)设置用于将氢根流(96)提供到光刻设备内的预定位置上，例如用于清洁收集器反射镜(50)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
74 条记录 (耗时 0.021 秒)
