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公开(公告)号:CN110546573B
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN201880024275.5
申请日:2018-01-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种光刻设备,被布置为将来自图案化装置的图案投影到衬底上,所述光刻设备包括至少一个壳体,所述至少一个壳体包括至少一个内壁;至少一个光学部件,被布置在至少部分地由所述至少一个内壁限定的至少一个腔室内并且被配置为接收辐射束;以及冷却设备,被布置为将所述至少一个内壁的至少一部分冷却至比所述至少一个光学部件的温度低的温度。
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公开(公告)号:CN109690413A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780056049.0
申请日:2017-08-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: P·范德艾登 , C·M·诺普斯 , T·W·波莱 , F·L·寇肯斯 , G·塔娜萨 , R·H·M·考蒂 , K·库依皮尔斯 , H·S·布登贝格 , G·L·加托比焦 , E·范弗利特 , N·坦凯特 , M·J·H·弗雷肯 , J·L·范埃尔沃 , M·M·C·F·托因尼森
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种流体处理结构(12),其配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域,所述流体处理结构包括:孔(15),其形成在所述流体处理结构中,用作使投影束经由通过所述浸没流体而通过所述孔的通道;第一部分(100);以及第二部分(200);并且其中,所述第一部分和所述第二部分中的至少一者限定一表面(20),所述表面适于从所述区域提取所述浸没流体;并且其中,所述流体处理结构适于提供进入或离开所述流体处理结构的所述表面的流体流,并且其中,所述第一部分相对于所述第二部分的移动实现改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置,并且其中,所述第一部分和所述第二部分中的一者包括用于流体流流过的至少一个通孔(51、61),并且所述第一部分和所述第二部分中的另一者包括用于所述流体流流过的至少一个开口(55、65),所述至少一个通孔和至少一个开口在被对准时流体连通,所述移动允许所述至少一个开口与所述至少一个通孔中的不同通孔对准,由此改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置。
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公开(公告)号:CN102193332A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110060027.6
申请日:2011-03-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: N·坦凯特 , J·J·奥腾斯 , B·A·W·H·柯拿伦 , R·J·伍德 , G·F·尼诺 , M·J·里米 , J·H·W·雅各布斯 , T·S·M·劳伦特 , J·G·C·昆尼
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备和方法。本发明公开的光刻设备包括:衬底台,配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底;和位于邻近衬底支撑区域的表面上的加热器和/或温度传感器。
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公开(公告)号:CN102193331A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201110060026.1
申请日:2011-03-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: N·坦凯特 , J·J·奥腾斯 , B·A·W·H·柯拿伦 , R·J·伍德 , G·F·尼诺 , M·J·里米 , J·H·W·雅各布斯 , T·S·M·劳伦特 , J·G·C·昆尼
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备和方法。本发明公开的光刻设备包括:衬底台,配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底;和位于邻近衬底支撑区域的表面上的加热器和/或温度传感器。
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公开(公告)号:CN101598907A
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200910203131.9
申请日:2009-06-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: H·J·卡斯特里金斯 , N·坦凯特 , S·苏勒普 , P·M·G·J·阿蒂斯
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341
Abstract: 本发明公开了一种衬底台、一种光刻设备以及一种器件制造方法。在所公开的台中,设置开口用于将浸没流体提供到所述台的顶部表面。在实施例中,存在两个这样的开口。第一开口围绕所述台的衬底支撑结构,而第二开口围绕所述台的外部边缘延伸。
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公开(公告)号:CN107771303B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201680036158.1
申请日:2016-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: A·H·凯沃特斯 , E·J·阿勒马克 , S·C·R·德克斯 , S·N·L·唐德斯 , W·E·恩登迪杰克 , F·J·J·简森 , R·W·L·拉法雷 , L·M·勒瓦希尔 , J·V·奥弗坎普 , N·坦凯特 , J·C·G·范德桑登
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备,包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统,光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备,其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件,冷却元件被配置成从衬底移除热量。
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公开(公告)号:CN110546573A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201880024275.5
申请日:2018-01-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种光刻设备,被布置为将来自图案化装置的图案投影到衬底上,所述光刻设备包括至少一个壳体,所述至少一个壳体包括至少一个内壁;至少一个光学部件,被布置在至少部分地由所述至少一个内壁限定的至少一个腔室内并且被配置为接收辐射束;以及冷却设备,被布置为将所述至少一个内壁的至少一部分冷却至比所述至少一个光学部件的温度低的温度。
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公开(公告)号:CN107367907A
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:CN201710708172.8
申请日:2013-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: S·N·L·唐德斯 , M·菲恩 , C·A·霍根达姆 , M·霍本 , J·H·W·雅各布斯 , A·H·凯沃特斯 , R·W·L·拉法雷 , J·V·奥弗卡姆普 , N·坦凯特 , J·S·C·韦斯特拉肯 , A·F·J·德格罗特 , M·范贝杰纳姆
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70341 , G03F7/707 , G03F7/70733 , G03F7/70858
Abstract: 一种用于光刻装置的支撑装置(60),具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开,使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30),所述突起被配置为使得其围绕物体保持件,并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。
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公开(公告)号:CN104937494B
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201380065901.2
申请日:2013-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/70908
Abstract: 本发明公开了一种用于将EUV辐射束投影到衬底(400)的目标部分上的所述类型的设备的衬底支撑件。该衬底支撑件包括:构造成保持衬底的衬底台;用于支撑衬底台的支撑块(420);以及设置成围绕衬底台的盖板(450’)。盖板的顶表面和安装在衬底台上的衬底的顶表面都大致处于同一高度水平。至少一个传感器单元(430)定位在衬底支撑件上,并且其顶表面也处于与盖板和衬底的顶表面相同的高度水平上。另外,公开了一种包括这样的衬底支撑件的EUV光刻设备。
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公开(公告)号:CN102645848B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201210035459.6
申请日:2012-02-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: R·W·L·拉法瑞 , N·坦凯特 , N·V·德兹欧姆提那 , Y·P·科瑞德 , S·A·特兰普 , J·J·雷森 , E·C·罗登伯格 , M·W·L·H·菲特斯 , H·于斯曼
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , B05D3/02 , G01J5/0285 , G01J5/20 , G03F7/70341 , G03F7/70708
Abstract: 本发明公开了一种衬底保持器、光刻设备、器件制造方法和制造衬底保持器的方法。用于光刻设备的衬底保持器具有设置在其表面上的平坦化层。该平坦化层提供平滑表面,用于形成薄膜叠层以形成电子部件。该薄膜叠层包括可选的隔离层、用于形成电极、传感器、加热器、晶体管或逻辑器件的金属层以及顶部隔离层。
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