公开(公告)号：CN106653673A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510741733.5

申请日：2015-11-03

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 张宝辉 ,  张伟涛 ,  王伟

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L21/68785 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/68735 ,  H01L33/20

摘要： 本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，包括托盘和盖板，在该托盘的上表面设置有第一凸台，且在该第一凸台的上表面设置有第二凸台，该第二凸台的上表面用于承载晶片；在盖板上，且与第二凸台相对应的位置处设置有通孔，第一凸台和第二凸台位于该通孔中，并且在通孔内设置有压爪，该压爪的下表面与晶片上表面的边缘区域相贴合；第二凸台的直径小于晶片的直径，以在晶片底部的边缘区域形成空隙；在第一凸台的上表面设置有密封圈，该密封圈环绕在第二凸台的周围，且顶端高于第二凸台的上表面。本发明提供的承载装置，其不仅可以避免出现晶片碎片的问题，而且还可以提高晶片的温度均匀性和刻蚀均匀性。

公开(公告)号：CN104749892B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201310734687.7

申请日：2013-12-27

申请人： 上海微电子装备有限公司

发明人： 黄静莉 ,  朱岳彬

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/67

CPC分类号： F16D7/048 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

摘要： 本发明提出一种具有碰撞保护功能的硅片边缘保护装置，与交接机械手连接，硅片边缘保护装置包括电气控制模块、垂向运动机构，其特征在于：还包括碰撞保护机构，连接于所述电气控制模块和垂向运动机构之间；当工作过程中发生意外碰撞时，所述碰撞保护机构将所述电气控制模块的伺服电机与所述垂向运动机构的丝杆分离。本发明具有碰撞保护功能的硅片边缘保护装置具有碰撞过载保护功能，杜绝了事故隐患，提高了光刻机的安全可靠性，消除了硅片的破损率。

公开(公告)号：CN103733328B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201280039981.X

申请日：2012-08-24

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  赵星吉

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/458

CPC分类号： H01L21/683 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68735 ,  Y10T29/49764

摘要： 根据本发明一实施例，基板支撑单元包括：衬托器，在其上部放置基板；一个以上的吸热构件，其在放置于所述衬托器的上部并与所述衬托器进行热接触(thermal contact)的安装位置、和从所述衬托器的上部移除的解除位置之间转换，并用于在所述安装位置吸收所述衬托器的热量；以及边缘环，其具有选择性地插入固定所述吸热构件的多个固定插槽。

公开(公告)号：CN102150478B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN200980135297.X

申请日：2009-09-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 畅训·李 ,  迈克尔·D·威尔沃思 ,  焕·阮

IPC分类号： H05H1/34 ,  H05H1/38 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

摘要： 本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面，所述顶表面具有外倾斜顶表面，所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。

公开(公告)号：CN105810609A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610032252.1

申请日：2016-01-18

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 严浩全 ,  罗伯特·格里菲斯·奥尼尔 ,  拉斐尔·卡萨斯 ,  乔恩·麦克切斯尼 ,  亚历克斯·帕特森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/68742 ,  H01J37/023 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/3344

摘要： 一种衬底处理系统，其包括处理腔室和布置在处理腔室内的基座。边缘耦合环布置为邻近所述基座的径向外边缘。第一致动器，其配置为选择性地移动所述边缘耦合环至相对于所述基座的提升位置，以在所述边缘耦合环和所述基座之间提供空隙，以允许机器臂将所述边缘耦合环从所述处理腔室移除。

公开(公告)号：CN102763212B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180010262.0

申请日：2011-02-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 尼欧·谬 ,  凯文·鲍蒂斯塔 ,  叶祉渊 ,  舒伯特·S·楚 ,  金以宽

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

摘要： 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。

公开(公告)号：CN105405802A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510863258.9

申请日：2015-11-30

申请人： 浙江大学

发明人： 杨青 ,  徐鹏飞

IPC分类号： H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68714 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明公开了一种无损晶圆的湿法腐蚀保护夹具，包括相互配合以夹持晶圆的底座和顶盖，所述晶圆具有需保护的正面和待腐蚀的背面，所述底座可容纳并密封包裹所述正面，所述顶盖为环形且抵压在所述背面的边缘部位，所述底座和顶盖均通过弹性缓冲的密封件与晶圆接触。本发明具有软性夹持的设计，使用中晶圆只与软质密封件接触，减少硬性接触对晶圆的损伤；对应夹持的设计，上下密封件夹持受力点对应，避免受力不均造成晶圆破裂；保护面形状对应设计，避免对夹具紧固时晶圆扭动导致受力不均进而引起裂片。

公开(公告)号：CN103443904B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280011707.1

申请日：2012-02-13

申请人： 信越半导体股份有限公司

发明人： 大西理

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC分类号： C30B25/12 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明是一种基座，其在进行外延层的气相生长时支撑半导体基板，其特征在于，在基座的上表面上，形成有内部配置半导体基板的凹坑，该凹坑呈双层结构，具有支撑半导体基板的外周缘部的上层凹坑部、与在该上层凹坑部的下层且形成于中心侧的下层凹坑部，在下层凹坑部中，形成有贯穿至前述基座的背面且在进行气相生长时为敞开状态的贯穿孔，在基座的背面侧，与上层凹坑部相对应的位置处设置有沟槽。由此，提供一种基座及使用此基座的外延晶片的制造方法，所述基座可以降低半导体基板外周部上且基座的背面侧的与上层凹坑部相对应的位置处的温度，使基板背面的外周部与内周部的热条件固定，而抑制基板背面的背面沉积的产生。

公开(公告)号：CN105009272A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480003813.4

申请日：2014-03-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 甘加达尔·希拉瓦特 ,  马哈德夫·乔希 ,  青木裕司

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

摘要： 本文提供用于支撑基板的设备。在一些实施方式中，基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有顶表面；凹槽，所述凹槽形成于顶表面内，其中所述凹槽由边缘界定；和多个倾斜支撑元件，所述多个倾斜支撑元件设置于凹槽内，且所述多个倾斜支撑元件沿凹槽的边缘设置，其中每一个倾斜支撑元件包括第一表面，所述第一表面朝向凹槽的中心向下倾斜。

公开(公告)号：CN105009252A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010134.X

申请日：2014-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 穆罕默德·拉希德 ,  希兰库玛·萨万戴亚 ,  威廉·约翰森 ,  葛振宾 ,  吉留刚一 ,  艾伦·A·里奇

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32642

摘要： 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。