发明授权
- 专利标题: 用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环
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申请号: CN200980135297.X申请日: 2009-09-01
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公开(公告)号: CN102150478B公开(公告)日: 2016-10-19
- 发明人: 畅训·李 , 迈克尔·D·威尔沃思 , 焕·阮
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 钟强
- 优先权: 12/207,695 2008.09.10 US
- 国际申请: PCT/US2009/055596 2009.09.01
- 国际公布: WO2010/030529 EN 2010.03.18
- 进入国家日期: 2011-03-09
- 主分类号: H05H1/34
- IPC分类号: H05H1/34 ; H05H1/38 ; H01L21/3065
摘要:
本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中,用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体,所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面,所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁,所述内径壁具有主要壁与次要壁,所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面,所述顶表面具有外倾斜顶表面,所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。
公开/授权文献
- CN102150478A 用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环 公开/授权日:2011-08-10
IPC分类: