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公开(公告)号：CN102763212A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010262.0
申请日：2011-02-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458 , C23C14/50
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4586 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105925953A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN105925953B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610312064.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN103597580B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280019802.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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公开(公告)号：CN102763212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180010262.0
申请日：2011-02-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458 , C23C14/50
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4586 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。
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公开(公告)号：CN103597580A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280019802.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 理查德·O·柯林斯 , 戴维·K·卡尔森 , 凯文·鲍蒂斯塔 , 赫尔曼·P·迪尼兹 , 凯拉什·帕塔雷 , 尼·O·谬 , 丹尼斯·L·德马斯 , 克里斯托夫·马卡德 , 史蒂夫·江珀 , 萨瑟施·库珀奥
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0236 , C23C16/301 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
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