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公开(公告)号：CN106663606A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580024685.6
申请日：2015-05-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明所述实施方式一般涉及用于在半导体装置上形成硅外延层的设备。可依序或同时提供沉积气体与蚀刻气体以改善外延层沉积特性。气体分配组件可与沉积气体源及蚀刻气体源耦接。在沉积气体与蚀刻气体提供至处理腔室的处理空间前，沉积气体与蚀刻气体可维持分开。气体分配组件的出口可经配置而将沉积气体与蚀刻气体以各式特性提供至处理空间中。在一个实施方式中，将蚀刻气体传送至处理空间的气体分配组件的出口可相对于基板表面而向上成角度。
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公开(公告)号：CN102326229B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080008855.9
申请日：2010-03-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02538 , C23C16/0245 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02661
Abstract: 本发明公开了沉积具有低界面污染的层的方法。本发明的方法可有利地降低沉积层之间的界面处污染，界面例如在沉积层与下方基板或薄膜之间。在某些实施例中，沉积层的方法可包括在还原气氛中将含硅层退火，所述含硅层上设置有第一层；在退火后利用蚀刻工艺来去除第一层以暴露含硅层；以及将第二层沉积在暴露的含硅层上。
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公开(公告)号：CN102326229A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008855.9
申请日：2010-03-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02538 , C23C16/0245 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02661
Abstract: 本发明公开了沉积具有低界面污染的层的方法。本发明的方法可有利地降低沉积层之间的界面处污染，界面例如在沉积层与下方基板或薄膜之间。在某些实施例中，沉积层的方法可包括在还原气氛中将含硅层退火，所述含硅层上设置有第一层；在退火后利用蚀刻工艺来去除第一层以暴露含硅层；以及将第二层沉积在暴露的含硅层上。
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公开(公告)号：CN102763212B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180010262.0
申请日：2011-02-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458 , C23C14/50
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4586 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。
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公开(公告)号：CN103518005B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280020467.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , Y10T137/0318 , Y10T137/0329 , Y10T137/0335 , Y10T137/877 , Y10T436/12
Abstract: 本文揭示了用于气体输送的方法和设备。在一些实施例中，气体输送系统包括：安瓿，该安瓿用于储存固态或液态前驱物；第一导管，该第一导管耦接至该安瓿且该第一导管具有耦接至第一气源第一末端，以将前驱物的蒸气从安瓿中抽取到第一导管中；第二导管，该第二导管在位于安瓿下游的第一接合处耦接至第一导管且该第二导管具有第一末端和第二末端，该第一末端耦接至第二气源而该第二末端耦接至处理腔室；和热源，该热源配置成加热安瓿和从安瓿至第二导管的第一导管的至少第一部分，以及加热第二导管的仅第二部分，其中该第二导管的第二部分包括第一接合处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103518005A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280020467.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , Y10T137/0318 , Y10T137/0329 , Y10T137/0335 , Y10T137/877 , Y10T436/12
Abstract: 本文揭示了用于气体输送的方法和设备。在一些实施例中，气体输送系统包括：安瓿，该安瓿用于储存固态或液态前驱物；第一导管，该第一导管耦接至该安瓿且该第一导管具有耦接至第一气源第一末端，以将前驱物的蒸气从安瓿中抽取到第一导管中；第二导管，该第二导管在位于安瓿下游的第一接合处耦接至第一导管且该第二导管具有第一末端和第二末端，该第一末端耦接至第二气源而该第二末端耦接至处理腔室；和热源，该热源配置成加热安瓿和从安瓿至第二导管的第一导管的至少第一部分，以及加热第二导管的仅第二部分，其中该第二导管的第二部分包括第一接合处。
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公开(公告)号：CN103348445B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201180066837.0
申请日：2011-07-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施例大体上涉及用于在半导体器件上形成硅外延层的方法。这些方法包括在增加的压力与降低的温度下在衬底上形成硅外延层。所述硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度，并且不添加碳而形成所述硅外延层。每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度增加沉积层的拉伸应变，而因此所述磷浓度改善沟道迁移率。因为外延层实质上无碳，所以外延层不会遭受通常与含碳外延层有所关联的膜形成与质量问题。
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公开(公告)号：CN103098177A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180036284.4
申请日：2011-07-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02046 , H01L21/02238 , H01L21/67109 , H01L21/6719
Abstract: 本发明的各实施例一般涉及从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬底的上部，以形成具有增加厚度的氧化层。具有增加厚度的氧化层接着去除以暴露衬底的干净表面。去除氧化层一般包含去除存在于氧化层之中和之上的污染物，特别是那些存在于氧化层和衬底的界面处的污染物。外延层可接着形成于衬底的干净表面上。
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公开(公告)号：CN102763212A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010262.0
申请日：2011-02-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458 , C23C14/50
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4586 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基板支撑在唇部上；以及多个通气孔，所述多个通气孔从凹穴延伸至基座板的上表面，以当基板设置在唇部上时，使在基板的背侧与凹穴之间所捕捉（trapped）的气体排出。本发明还公开了使用本发明的设备而在基板上沉积一层的方法。
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