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公开(公告)号：CN1917163A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610066572.5
申请日：2006-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的反射光线。
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公开(公告)号：CN1838399A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510093039.3
申请日：2005-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/76808
Abstract: 本发明提供一种平坦化填隙材料的装置及方法，具体涉及一种平坦化基底上填隙材料的装置及方法。上述装置包括一支撑座用以承载该基底，一平板对向设置于该支撑座以及一控制器以控制该平板相对于该支撑座的运动。该平板具有一实质上平坦的表面，且该平板施予一作用力于该基底上，借此使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。本发明通过平坦化装置将基底上的填隙材料平坦化。由于平坦化装置的平板具有实质上平坦的表面，在平板施加作用力于基底上的填隙材料之后，使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。通过平坦化填隙材料可使后续沟槽的微影蚀刻制程精确且容易进行，以降低制造成本及提升制程裕度。
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公开(公告)号：CN1271474C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310124030.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/20 , G03B27/42 , G03F1/00 , G03F7/70475
Abstract: 本发明公开了一种转移光罩图形的方法与装置以及制造光罩的方法，可藉以补偿光罩接合区(Stitching Area)因为接合效应(Stitching Effect)所产生的误差。本发明的转移光罩图形的方法至少包括以下步骤。首先，提供用以产生一光罩的一数据文件，并将此数据文件分成复数个部分，其中每一部分包括一主要图形区与一邻近该主要图形区的接合区，且此接合区至少包括一几何图形。然后，于接合区形成一组几何特征，其中于一照射过程后此组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布。
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公开(公告)号：CN113341662B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110558121.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18>δd>3、7>δp>1和7>δh>1的第一溶剂；酸解离常数pKa为‑11
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111123643B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201911043986.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及保护组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种方法包括在衬底边缘上方形成保护层并在衬底上方形成光致抗蚀剂层。去除保护层并将光致抗蚀剂层曝光于辐射。保护层由包括酸生成剂和具有悬挂的不耐酸基团的聚合物的组合物制成。悬挂的不耐酸基团包括极性官能团；不耐酸基团包括极性开关官能团；不耐酸基团，其中大于5％的悬挂的不耐酸基团具有以下结构：#imgabs0#其中，R1为C6‑C30烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；R2为C4‑C9烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的内酯基团的聚合物；或具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的羧酸基团的聚合物。
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公开(公告)号：CN109585277B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201810957232.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。
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公开(公告)号：CN116184766A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210817164.8
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒，在第一反应区域的下游的反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BNNT壳的异质结构纳米管，以及将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。
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公开(公告)号：CN108121152B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201710896173.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种微影光掩模，包括基板，其包含低热膨胀材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一重叠标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二重叠标记。在一些实施例中，微影光掩模包含极紫外线微影光掩模。
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