公开(公告)号：CN100375249C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510125252.8

申请日：2005-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  林嘉祥 ,  林嘉祺 ,  林宗宪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种填充开口、介层洞开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏-密介层洞图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽工艺最佳化且减化工艺步骤。

公开(公告)号：CN1838399A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510093039.3

申请日：2005-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  林宗宪 ,  林嘉祥

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种平坦化填隙材料的装置及方法，具体涉及一种平坦化基底上填隙材料的装置及方法。上述装置包括一支撑座用以承载该基底，一平板对向设置于该支撑座以及一控制器以控制该平板相对于该支撑座的运动。该平板具有一实质上平坦的表面，且该平板施予一作用力于该基底上，借此使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。本发明通过平坦化装置将基底上的填隙材料平坦化。由于平坦化装置的平板具有实质上平坦的表面，在平板施加作用力于基底上的填隙材料之后，使基底上的填隙材料亦具有实质上平坦的表面。通过平坦化填隙材料可使后续沟槽的微影蚀刻制程精确且容易进行，以降低制造成本及提升制程裕度。

公开(公告)号：CN1790627A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510125252.8

申请日：2005-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  林嘉祥 ,  林嘉祺 ,  林宗宪

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种填充开口、介层开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏－密介层图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽制程最佳化且减化制程步骤。