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公开(公告)号：CN111244271B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010058952.4
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种相变材料，所述相变材料包括钪(Sc)元素、钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素及碲(Te)元素，所述相变材料的化学式为ScxTayGehSbzTeu，其中，x、y、h、z、u均指元素的原子组分，且满足0≤x≤50，0≤y≤50，0≤z≤90，0≤z≤90，0≤u≤90，0＜100‑x‑y‑h‑z‑u＜100。本申请提供的相变材料可以通过调节Sc、Ta、Ge、Sb、Te元素的含量得到不同电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明的ScxTayGehSbzTeu相变材料具有良好的热稳定性，较高的数据保持力，较快的结晶速度。
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公开(公告)号：CN113539311A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110724690.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电，同时提高存储单元可靠性。
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公开(公告)号：CN113488093A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754913.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置，方法包括以下步骤：将存储器单元操作至低阻态；根据所述存储器单元的电阻变化特性，提取一组电脉冲，使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加；使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储，并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作，确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗，提高效率，节约成本，提高多级存储成功率。
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公开(公告)号：CN112311361A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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公开(公告)号：CN108922574B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810637327.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C11/4091
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326651A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811543070.6
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为GeaAsbSecTexSiyPz，其中a、b、c、x、y、z均指元素的原子百分比，且5
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公开(公告)号：CN111129070A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911181892.9
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本申请公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括锗(Ge)、硒(Se)和硫(S)三种元素的化合物；该选通管材料的化学通式为GeSexS1-x，其中，X为元素的原子占比，且0.01≤X≤0.99。本发明提供的选通管材料具有开通电流大和漏电流小的特点。
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公开(公告)号：CN107068198B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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公开(公告)号：CN110890122A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911099112.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1S1R单元读控制电路，至少包括：选中单元读控制电路、阵列控制电路、第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、灵敏放大器和1S1R阵列；阵列控制电路、第一低压差线性稳压器和灵敏放大器均与选中单元读控制电路连接；第二低压差线性稳压器和1S1R阵列均与阵列控制电路连接。实现了对选通器件不同状态的不同电压控制，保证了1S1R单元能被正确读取；在选通器件导通时，避免了存储器件两端的高电压，避免了读干扰，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN110846626A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911079293.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种碳掺杂相变存储材料靶材及其制备方法，该靶材的制备方法包括以下步骤：获取相变原材料；将相变原材料按照化学计量比混合获得第一混合物，将第一混合物在设定温度下加热反应生成相变材料化合物；将相变材料化合物采用高能球磨或者气流磨的方法制成相变材料粉体；将相变材料粉体与石墨烯均匀混合制成第二混合物；将第二混合物通过真空热压烧结工艺制得靶材。如此，采用本申请提供的制备方法制备的靶材组份均一、靶材表面平整、粗糙度小、含氧量低。
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