公开(公告)号：CN106299113A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610703472.2

申请日：2016-08-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郭天琪 ,  宋三年 ,  沈兰兰 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明提供一种Ge-Sb-Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法，Ge-Sb-Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，Ge-Sb-Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且x+y+z=100。本发明提供的Ge-Sb-Se系列相变材料可以通过调节三种元素的含量得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明所述的Ge-Sb-Se相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分。

公开(公告)号：CN109545964B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201811535870.3

申请日：2018-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郭天琪 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法，所述选通材料的化学通式为MxOyAsz，其中，M是包括但不限于Hf、Ti、Ta或Zr中的任意一种元素，x、y、z均指元素的原子百分比，且满足x+y+z＝100,同时20

公开(公告)号：CN109545964A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811535870.3

申请日：2018-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  郭天琪 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法，所述选通材料的化学通式为MxOyAsz，其中，M是包括但不限于Hf、Ti、Ta或Zr中的任意一种元素，x、y、z均指元素的原子百分比，且满足x+y+z＝100,同时20

公开(公告)号：CN108110135A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711213604.4

申请日：2017-11-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛媛 ,  宋三年 ,  郭天琪 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/14 ,  H01L45/06 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种Al‑Sb‑Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al‑Sb‑Ge相变材料包括铝、锑、锗三种元素，其化学式为AlxSbyGez，其中，15≤x≤25，50≤y≤60，20≤z≤35，且x+y+z＝100。该相变材料可通过磁控溅射的方法进行制备，通过调节溅射靶材的电流功率来调节Al‑Sb‑Ge系列体系中的三种元素的含量，得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料。本发明所述的Al‑Sb‑Ge相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分；本发明提供相变存储材料应用到相变存储器中，使得相变存储器具有数据保持力强、擦写速度快，电学性能稳定等优点。

公开(公告)号：CN111326651A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811543070.6

申请日：2018-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋三年 ,  郭天琪 ,  王昊

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为GeaAsbSecTexSiyPz，其中a、b、c、x、y、z均指元素的原子百分比，且5

公开(公告)号：CN108899417A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810704531.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛媛 ,  宋三年 ,  郭天琪 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L45/04 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Ta-Sb-Te相变材料包括钽、锑、碲三种元素，所述Ta-Sb-Te相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，3≤x≤15，50≤y≤70，25≤z≤35，且x+y+z＝100。该相变材料可通过磁控溅射的方法进行制备，通过调节溅射靶材的电流功率来调节Ta-Sb-Te系列体系中的三种元素的含量，得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。本发明所述的Ta-Sb-Te相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力以及更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分；本发明提供相变存储材料应用到相变存储器中，使得相变存储器具有数据保持力强、擦写速度快，电学性能稳定等优点。