公开(公告)号：CN111326651A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811543070.6

申请日：2018-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  宋三年 ,  郭天琪 ,  王昊

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种OTS材料、选通器单元及其制备方法，所述OTS材料为包括Ge、As、Se、Te、Si和P六种元素的化合物，所述OTS材料的化学通式为GeaAsbSecTexSiyPz，其中a、b、c、x、y、z均指元素的原子百分比，且5

公开(公告)号：CN119534398A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411582504.9

申请日：2024-11-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘赟 ,  王昊 ,  薛忠营 ,  魏星

IPC: G01N21/47 ,  H01L21/66 ,  G01N21/01 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明涉及一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的LSE尺寸，基于所述LSE尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据LSE尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小；本发明测量氧沉淀的方法对于含有大量氧沉淀的待测硅片，可以快速准确的得到其氧沉淀的实际大小，节约时间，降低成本。

公开(公告)号：CN115020264A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210801932.0

申请日：2022-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  王昊 ,  俞文杰 ,  程新红 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法，所述检测方法包括：提供待检测晶圆；于所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区，所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔为若干个未刻蚀区；于所述待检测晶圆底面形成底面金属层；于所述待检测晶圆顶面形成图形化的顶面金属层；测量所述待检测晶圆的深能级瞬态电容谱曲线，使用所述深能级瞬态电容谱曲线作出阿伦尼乌斯曲线，得到所述待检测晶圆的深能级缺陷的能级位置及浓度信息。本发明所述大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法能够解决现有测量技术无法准确探测到大尺寸晶圆中深能级的缺陷态，同时也很难检测到缺陷态的浓度和能级位置的问题。