公开(公告)号：CN106663643A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580030897.5

申请日：2015-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒谷崇

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: G01R31/2639 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/005 ,  C30B33/02 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。

公开(公告)号：CN106574395A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580044303.6

申请日：2015-06-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  镰田洋之

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。

公开(公告)号：CN106537561A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038731.8

申请日：2015-06-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

公开(公告)号：CN104641024B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380048354.7

申请日：2013-10-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北川胜之 ,  浦野雅彦 ,  吉田胜浩

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/02 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此向石英坩埚内投入收容在再装填管内的原料，其特征在于，配置再装填管及石英坩埚，使开始投入原料时所述再装填管的下端与石英坩埚内的原料或者熔液的距离为200mm以上250mm以下，之后，以石英坩埚的下降速度(CL)与再装填管的锥形阀的下降速度(SL)之比(CL/SL)为1.3以上1.45以下的方式，一边使石英坩埚和再装填管的锥形阀同时下降，一边投入原料。由此，能够抑制石英坩埚或再装填管的破损。

公开(公告)号：CN106415806A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580024451.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/02 ,  H01L23/66 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的接口状态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将接口状态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的接口状态密度而求取接口状态密度，或是求取基于接口状态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度，基于预先求取接口状态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，借由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。

公开(公告)号：CN106415784A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027234.8

申请日：2015-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/84 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及(e)对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。

公开(公告)号：CN106413993A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025826.6

申请日：2015-03-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 加藤忠弘

IPC: B24D11/00 ,  B24B27/06 ,  B24D3/00 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种固定磨粒钢线，于芯线的表面固着有磨粒，其中于该芯线的表面中，其每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度为1200个/mm2以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下。如此一来，借由提供一种固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法，能抑制工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行，并能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp。

公开(公告)号：CN106255923A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020539.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 齐藤久之

IPC: G03F7/20 ,  G01B21/20

CPC classification number: G01B21/20 ,  G01B21/30 ,  G01B2210/56 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70783 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明为一种晶圆的弯曲的评价方法，包含：第一步骤，测量未吸附的自由状态的晶圆的弯曲，以及第二步骤，使用经测量的晶圆的弯曲的数据，求出与点P相隔距离a的点Q1与点Q2的两点之间的晶圆弯曲量A，以及求出与点P相隔不同于距离a的距离b的点R1与点R2的两点之间的晶圆弯曲量B，根据晶圆弯曲量A与晶圆弯曲量B计算出于点P中晶圆弯曲量的差，并根据所计算出的晶圆弯曲量的差而评价晶圆的弯曲。如此一来，导入显示于吸附晶圆时因插针夹头的节距差异所产生的弯曲的修正程度的差的新参数，并且使用此新参数评价晶圆的弯曲。

公开(公告)号：CN104602864B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201380046138.9

申请日：2013-08-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木正直 ,  青木一晃 ,  安田太一 ,  佐藤勇章 ,  汤浅雄大 ,  浅井一将 ,  古川大辅

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨方法，其在载体上保持晶圆，且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体，并同时研磨所述晶圆的双面，其中，所述载体具有：保持孔，其用于保持所述晶圆；环状的树脂插入物，其沿着所述保持孔的内周而配置，且具有接触所述所保持的晶圆的周缘部的内周面；该双面研磨方法的特征在于，在将所述树脂插入物的内周面上的凹凸的最大高低差定义为所述内周面的平面度，并将连结所述内周面的上端部与下端部的直线与垂直于载体主面的直线所夹的角度定义为所述内周面的垂直度时，一边将所述平面度维持在100μm以下，并将所述垂直度维持在5°以下，一边研磨所述晶圆的双面。由此，提供一种双面研磨方法，该双面研磨方法尤其能够抑制如外周塌边这样的研磨后的晶圆的平坦度的恶化，该平坦度的恶化由于载体的树脂插入物的内周面的形状变化所导致。

公开(公告)号：CN106068555A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580011905.1

申请日：2015-02-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 安田太一 ,  榎本辰男

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/345 ,  B24B41/06 ,  B25J15/0658 ,  B25J15/0666 ,  B25J15/0683 ,  H01L21/304

Abstract: 一种工件支承装置，包括：刚性体，其具有通气孔；吸盘，其吸附而支承工件且粘接于刚性体的下端面，并具有连通于通气孔的开口部；空气控制机构，连通于通气孔，借由自通气孔抽吸或吐出空气而自开口部抽吸或吐出空气，在工件接触开口部的同时，借由空气控制机构自开口部抽吸空气使工件吸附而支承于吸盘，以及借由自开口部吐出空气使工件自吸盘脱离，其中工件自吸盘脱离时，借由空气控制机构自通气孔供给空气，使吸盘的与工件的接触面的至少一部分于工件侧膨胀而具有隆起部。如此一来，工件自吸盘脱离时，工件与吸盘间的吸力减弱，能使工件确实脱离。