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公开(公告)号：CN115244229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN106574395B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
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公开(公告)号：CN105917449B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580004474.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
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公开(公告)号：CN105814676B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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公开(公告)号：CN106574395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105814676A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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公开(公告)号：CN116710602A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180091308.X
申请日：2021-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明提供一种单晶提拉装置，具备：具有中心轴的提拉炉；以及设置于提拉炉周围且具有线圈的磁场产生装置，该单晶提拉装置对熔融的半导体原料施加水平磁场，抑制坩埚内的对流，其特征在于，具备主线圈和副线圈，设置有2组相对配置的线圈对作为主线圈，该主线圈的2个线圈轴包含于相同的水平面内，夹着水平面内的中心轴上的磁场线方向即X轴的2个线圈轴间的中心角度α为100度以上120度以下，并且设置有1组相对配置的超导线圈对作为副线圈，该副线圈的1个线圈轴与X轴一致，主线圈与副线圈能够独立地设定电流值。由此，提供一种单晶提拉装置和单晶提拉方法，其能够制造低氧浓度的单晶，并且能够在相同装置中高速地培育通常氧浓度的无缺陷区域单晶。
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公开(公告)号：CN106795647B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580046406.6
申请日：2015-08-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。
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公开(公告)号：CN105900220B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201580003982.2
申请日：2015-01-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
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公开(公告)号：CN105917449A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004474.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC classification number: C30B33/02 , C01B33/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/3221 , H01L29/32
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
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