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公开(公告)号：CN113811642A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080033333.8
申请日：2020-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，其中，该X轴是包含四个超导线圈的所有线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向，四个超导线圈都配置为，线圈轴相对于Y轴成大于‑30°小于30°的角度范围，该磁力线的方向相对于剖面线对称，在每一个区域中，两个超导线圈产生的磁力线的方向相反。由此，提供一种在单晶提拉装置的解体·安装时不需要使磁场产生装置移动，能够降低培育的单晶中的氧浓度，并且能够抑制培育的单晶中的生长条纹的单晶提拉装置。
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公开(公告)号：CN115244229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN108026660B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680053903.3
申请日：2016-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 高野清隆
Abstract: 本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此，能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹。
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公开(公告)号：CN110199057A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007837.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，其测量通过切克劳斯基法从施加了水平磁场的硅熔融液提拉的硅单晶的碳浓度，其特征在于，通过从氧浓度在5ppma-JEIDA以下的所述硅单晶的尾部区域切下检测样品，并通过低温PL测量来测量所述检测样品的碳浓度，使得碳浓度的测量下限值在5×1014原子/cm3以下，并计算所述硅单晶的直体中的碳浓度。由此，提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，通过该方法即使对于产品部的氧浓度超过5ppma-JEIDA的硅单晶，也能够测量使用FT-IR无法测量的浓度低的碳浓度。
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公开(公告)号：CN116710602A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180091308.X
申请日：2021-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明提供一种单晶提拉装置，具备：具有中心轴的提拉炉；以及设置于提拉炉周围且具有线圈的磁场产生装置，该单晶提拉装置对熔融的半导体原料施加水平磁场，抑制坩埚内的对流，其特征在于，具备主线圈和副线圈，设置有2组相对配置的线圈对作为主线圈，该主线圈的2个线圈轴包含于相同的水平面内，夹着水平面内的中心轴上的磁场线方向即X轴的2个线圈轴间的中心角度α为100度以上120度以下，并且设置有1组相对配置的超导线圈对作为副线圈，该副线圈的1个线圈轴与X轴一致，主线圈与副线圈能够独立地设定电流值。由此，提供一种单晶提拉装置和单晶提拉方法，其能够制造低氧浓度的单晶，并且能够在相同装置中高速地培育通常氧浓度的无缺陷区域单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116568872A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080412.9
申请日：2021-11-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明的第一方式提供一种单晶制造装置，其特征在于，具有：主腔室；提拉腔室；配置为与硅熔液对置的热屏蔽部件；以包围提拉中的单晶硅的方式配置在热屏蔽部件上的整流筒；配置为围住提拉中的单晶硅且包含朝向硅熔液延伸的部分的冷却筒；以及嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒，冷却筒的延伸的部分具有面向硅熔液的底面，冷却辅助筒至少具有围绕冷却筒的底面的第一部分和围绕整流筒的上端部的第二部分。由此，能够提供与现有技术相比能够制造碳浓度更低的单晶的装置。
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公开(公告)号：CN110199057B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880007837.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，其测量通过切克劳斯基法从施加了水平磁场的硅熔融液提拉的硅单晶的碳浓度，其特征在于，通过从氧浓度在5ppma‑JEIDA以下的所述硅单晶的尾部区域切下检测样品，并通过低温PL测量来测量所述检测样品的碳浓度，使得碳浓度的测量下限值在5×1014原子/cm3以下，并计算所述硅单晶的直体中的碳浓度。由此，提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，通过该方法即使对于产品部的氧浓度超过5ppma‑JEIDA的硅单晶，也能够测量使用FT‑IR无法测量的浓度低的碳浓度。
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公开(公告)号：CN106795647B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580046406.6
申请日：2015-08-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。
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公开(公告)号：CN116917556A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019090.1
申请日：2022-01-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备具有中心轴的提拉炉以及具有线圈的磁场产生装置，对熔融半导体原料施加水平磁场，其中，线圈是鞍型，设有2组相向配置的鞍型线圈的对，2组线圈对中的2条线圈轴包含在同一水平面内，当在该水平面内，将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴，将垂直于X轴的方向设为Y轴时，2条线圈轴间夹着X轴的中心角度α为90度以下，相邻的线圈彼此间夹着Y轴的线圈间角度β为20度以下。由此，提供一种单晶提拉装置、及单晶提拉方法，能通过提高磁场产生效率而减小线圈高度，能使磁场中心提高至半导体原料的熔液面附近，能得到氧浓度比现有技术更低的单晶，并能更高速地提拉无缺陷晶体。
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公开(公告)号：CN115244229A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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