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公开(公告)号：CN110199057A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007837.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，其测量通过切克劳斯基法从施加了水平磁场的硅熔融液提拉的硅单晶的碳浓度，其特征在于，通过从氧浓度在5ppma-JEIDA以下的所述硅单晶的尾部区域切下检测样品，并通过低温PL测量来测量所述检测样品的碳浓度，使得碳浓度的测量下限值在5×1014原子/cm3以下，并计算所述硅单晶的直体中的碳浓度。由此，提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，通过该方法即使对于产品部的氧浓度超过5ppma-JEIDA的硅单晶，也能够测量使用FT-IR无法测量的浓度低的碳浓度。
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公开(公告)号：CN110199057B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880007837.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，其测量通过切克劳斯基法从施加了水平磁场的硅熔融液提拉的硅单晶的碳浓度，其特征在于，通过从氧浓度在5ppma‑JEIDA以下的所述硅单晶的尾部区域切下检测样品，并通过低温PL测量来测量所述检测样品的碳浓度，使得碳浓度的测量下限值在5×1014原子/cm3以下，并计算所述硅单晶的直体中的碳浓度。由此，提供一种单晶硅中的碳浓度测量方法，通过该方法即使对于产品部的氧浓度超过5ppma‑JEIDA的硅单晶，也能够测量使用FT‑IR无法测量的浓度低的碳浓度。
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