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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105939961B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201580006723.5
申请日：2015-01-14
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C01B23/0094 , B01D53/0462 , B01D53/047 , B01D53/261 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D53/864 , B01D53/8671 , B01D2253/104 , B01D2253/106 , B01D2253/108 , B01D2255/1021 , B01D2256/18 , B01D2257/102 , B01D2257/104 , B01D2257/502 , B01D2257/504 , B01D2257/80 , B01D2258/0216 , C01B23/001 , C01B23/0015 , C01B23/0021 , C01B23/0057 , C01B23/0068 , C01B23/0078 , C01B2210/0034 , C01B2210/0045 , C01B2210/0046 , C01B2210/005 , C01B2210/0098 , Y02A50/2341 , Y02C10/04 , Y02C10/08 , Y02P20/152
Abstract: 本发明是一种氩气回收精制方法及氩气回收精制装置，该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、用去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序，在通过将催化剂配置于双级压缩机内，仅用压缩热进行所述催化反应来得到所述回收气体的工序中，在预先用干燥机去除所述水后，用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。由此提供一种使用简单且低成本的设备，就能够稳定去除从单晶硅制造装置排出的大风量氩气中所含的杂质气体的氩气回收精制方法。
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公开(公告)号：CN108431307A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680077190.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 矢岛涉
Abstract: 本发明提供用于保管及管理单晶提拉装置中使用的再装填管的再装填管储料器，其特征在于，具有：进行再装填管向再装填管储料器内入库及再装填管从再装填管储料器内出库的入出库部；对再装填管进行保管的保管手段；将原料填充于再装填管内的原料填充手段；对已填充于再装填管内的原料的重量进行秤量的秤量手段；可将从入出库部入库的再装填管在入出库部、原料填充手段及保管手段之间搬送的搬送手段；以及，对利用保管手段进行保管的再装填管的保管信息一并进行管理的管理手段。由此，可提供一种再装填管储料器，其能够以节省空间的方式对再装填管进行保管及管理，能够防止所需的再装填管的搜索需要时间、或者发生再装填管的错取。
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公开(公告)号：CN105939961A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006723.5
申请日：2015-01-14
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C01B23/0094 , B01D53/0462 , B01D53/047 , B01D53/261 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D53/864 , B01D53/8671 , B01D2253/104 , B01D2253/106 , B01D2253/108 , B01D2255/1021 , B01D2256/18 , B01D2257/102 , B01D2257/104 , B01D2257/502 , B01D2257/504 , B01D2257/80 , B01D2258/0216 , C01B23/001 , C01B23/0015 , C01B23/0021 , C01B23/0057 , C01B23/0068 , C01B23/0078 , C01B2210/0034 , C01B2210/0045 , C01B2210/0046 , C01B2210/005 , C01B2210/0098 , Y02A50/2341 , Y02C10/04 , Y02C10/08 , Y02P20/152
Abstract: 本发明是一种氩气回收精制方法及氩气回收精制装置，该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、用去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序，在通过将催化剂配置于双级压缩机内，仅用压缩热进行所述催化反应来得到所述回收气体的工序中，在预先用干燥机去除所述水后，用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。由此提供一种使用简单且低成本的设备，就能够稳定去除从单晶硅制造装置排出的大风量氩气中所含的杂质气体的氩气回收精制方法。
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公开(公告)号：CN113811642A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080033333.8
申请日：2020-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，其中，该X轴是包含四个超导线圈的所有线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向，四个超导线圈都配置为，线圈轴相对于Y轴成大于‑30°小于30°的角度范围，该磁力线的方向相对于剖面线对称，在每一个区域中，两个超导线圈产生的磁力线的方向相反。由此，提供一种在单晶提拉装置的解体·安装时不需要使磁场产生装置移动，能够降低培育的单晶中的氧浓度，并且能够抑制培育的单晶中的生长条纹的单晶提拉装置。
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公开(公告)号：CN108431307B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680077190.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 矢岛涉
Abstract: 本发明提供用于保管及管理单晶提拉装置中使用的再装填管的再装填管储料器，其特征在于，具有：进行再装填管向再装填管储料器内入库及再装填管从再装填管储料器内出库的入出库部；对再装填管进行保管的保管手段；将原料填充于再装填管内的原料填充手段；对已填充于再装填管内的原料的重量进行秤量的秤量手段；可将从入出库部入库的再装填管在入出库部、原料填充手段及保管手段之间搬送的搬送手段；以及，对利用保管手段进行保管的再装填管的保管信息一并进行管理的管理手段。由此，可提供一种再装填管储料器，其能够以节省空间的方式对再装填管进行保管及管理，能够防止所需的再装填管的搜索需要时间、或者发生再装填管的错取。
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