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公开(公告)号：CN117441040A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280032856.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部朝向原料熔液表面延伸，被冷却介质强制冷却，其特征在于，具备：第一冷却辅助筒，嵌合于冷却筒的内侧；以及第二冷却辅助筒，从下端侧螺合于第一冷却辅助筒的外侧，并且冷却筒的底面与第二冷却辅助筒的上表面的间隙为0mm以上1.0mm以下。由此，能够提供可通过高效地冷却培育中的单晶而实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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公开(公告)号：CN115244229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN115244229A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN114763623A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111412204.2
申请日：2021-11-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种通过有效地冷却培育中的单晶从而能够实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。该单晶制造装置具有：容纳收容原料熔液的坩埚的主室、提拉并收容单晶的提拉室、以及以包围提拉中的单晶的方式从主室的顶部向原料熔液表面延伸并被强制冷却的冷却筒，该单晶制造装置还具有嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒和嵌合于冷却辅助筒的直径扩大部件，冷却辅助筒具有沿轴向贯穿的切缝，冷却辅助筒通过直径扩大部件的压入而与冷却筒的内表面贴紧，冷却辅助筒具有以覆盖冷却筒的与原料熔液相对的底面的方式向外侧延伸的凸缘部，通过嵌合在冷却辅助筒凸缘部与冷却筒底面之间的贴紧辅助部件，使冷却筒底面、贴紧辅助部件和冷却辅助筒凸缘部贴紧。
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