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公开(公告)号：CN112639176B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN112639176A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056306.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。
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公开(公告)号：CN117441040A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280032856.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部朝向原料熔液表面延伸，被冷却介质强制冷却，其特征在于，具备：第一冷却辅助筒，嵌合于冷却筒的内侧；以及第二冷却辅助筒，从下端侧螺合于第一冷却辅助筒的外侧，并且冷却筒的底面与第二冷却辅助筒的上表面的间隙为0mm以上1.0mm以下。由此，能够提供可通过高效地冷却培育中的单晶而实现该单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。
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公开(公告)号：CN110869541A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880043909.1
申请日：2018-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种再装填管，其具备收纳原料的圆筒部件、以及对该圆筒部件的下部的开口部进行开闭的圆锥状的阀门，其特征在于，所述圆筒部件在内周面的下端部具有下部圆锥口部且在比所述下端部的所述下部圆锥口部更靠近上方处具有上部圆锥口部，其中，所述下部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述上部圆锥口部是内径朝向下方变小的圆锥状的开口部，所述阀门位于所述下部圆锥口部与所述上部圆锥口部之间。由此，能够简单地进行向单晶制造装置内的导入、从单晶制造装置的取出，并能够直接向坩埚内的熔液面投入块状、粒状等固体形状的原料，而且，通过使从熔液飞溅的飞溅液体仅附着于再装填管、石英坩埚，从而能够保护单晶制造装置，且提供一种廉价的再装填管。
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