公开(公告)号：CN106537561A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038731.8

申请日：2015-06-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

公开(公告)号：CN105934814A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005338.9

申请日：2015-01-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的清洗槽，其将半导体晶圆浸泡于清洗液来进行清洗，该半导体晶圆的清洗槽的特征在于，具备：槽本体部，其由石英所构成，并贮存所述清洗液，且将多个所述半导体晶圆浸泡于所述清洗液中；溢流承接部，其由石英所构成，并设置于所述槽本体部的开口部的周围，且承接从所述槽本体部的开口部上端所溢流出来的所述清洗液；以及，隔热壁部，其设置于所述槽本体部的周围；并且，所述隔热壁部是不间断地包围着所述槽本体部，且在所述隔热壁部与所述槽本体部的侧壁之间形成有中空层。由此，提供一种蚀刻步骤中所使用的清洗槽，其能够以高产率来制造下述贴合晶圆：在用于调整膜厚的蚀刻步骤后仍维持膜厚均匀性。

公开(公告)号：CN106537561B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201580038731.8

申请日：2015-06-18

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B24B37/20 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明是一种锗晶圆的研磨方法，于表面以锗所构成的锗晶圆的研磨中，于含有硅酸胶的碱性水溶液的第一研磨浆中添加双氧水，使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨锗晶圆的表面，第一研磨浆中的该双氧水的添加浓度相当于相对于第一研磨浆的容量，以大于0vol％且0.1vol％以下的容量添加30wt％的双氧水的浓度，并使用经添加该双氧水而成的第二研磨浆而研磨该锗晶圆的表面。借此提供的锗晶圆的研磨方法，能使研磨后的Ge表面的表面粗糙度充分地变小，作为贴合用晶圆的情况也能充分抑制空洞与起泡等的界面缺陷的发生。

公开(公告)号：CN105934814B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201580005338.9

申请日：2015-01-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 长冈康男

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的清洗槽，其将半导体晶圆浸泡于清洗液来进行清洗，该半导体晶圆的清洗槽的特征在于，具备：槽本体部，其由石英所构成，并贮存所述清洗液，且将多个所述半导体晶圆浸泡于所述清洗液中；溢流承接部，其由石英所构成，并设置于所述槽本体部的开口部的周围，且承接从所述槽本体部的开口部上端所溢流出来的所述清洗液；以及，隔热壁部，其设置于所述槽本体部的周围；并且，所述隔热壁部是不间断地包围着所述槽本体部，且在所述隔热壁部与所述槽本体部的侧壁之间形成有中空层。由此，提供一种蚀刻步骤中所使用的清洗槽，其能够以高产率来制造下述贴合晶圆：在用于调整膜厚的蚀刻步骤后仍维持膜厚均匀性。