公开(公告)号：CN102262904B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201010194950.4

申请日：2010-05-24

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 多位元三维掩膜编程存储器，本发明提供一种多位元(large bit-per-cell)三维掩膜编程存储器(3D-MPROMB)，其每个存储元能存储多位(如4位)信息。3D-MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏-安曲线可调节的范围。

公开(公告)号：CN103106926A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201110355203.9

申请日：2011-11-10

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 刘明 ,  张康玮 ,  龙世兵 ,  谢常青 ,  吕杭炳 ,  刘琦

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/10

摘要： 本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰，便于存储器件和外围电路的集成，简化了器件的制备工艺。

公开(公告)号：CN102969025A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210310221.X

申请日：2012-08-28

申请人： 成都海存艾匹科技有限公司

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  G11B20/00

CPC分类号： G06F3/0608 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014 ,  G11C5/02 ,  G11C11/005 ,  G11C17/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提出一种混合型内容发行系统。它含有一播放器并采用两种存储器来存储内容，即可重复写存储器（RWM）和三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）。在一出版周期内，新出版的内容通过网络等通讯手段传输到播放器中，并存储在RWM内。这个出版周期结束时，用户收到3D-MPROM，它存储这个出版周期内出版内容的一个集合。这时，RWM中的内容可以被删除，以便为下一出版周期内新出版的内容腾出空间。

公开(公告)号：CN101546605B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200810181778.1

申请日：2002-09-30

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/112

摘要： 本发明提出一种改进的三维掩膜编程只读存储器，它的至少部分地址线由掺杂的半导体材料构成，且不含金属膜、合金膜或金属化合物膜。它具有较好的可制造性。

公开(公告)号：CN101202100B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200610166937.1

申请日：2006-12-15

申请人： 智原科技股份有限公司

发明人： 邱智康 ,  石维强

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/12 ,  G11C11/41 ,  G11C17/10 ,  H01L27/105

摘要： 一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式。

公开(公告)号：CN101661797A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910177543.X

申请日：2007-03-29

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 陈威仲 ,  何达能 ,  陈俤文 ,  陈威铭

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。

公开(公告)号：CN101546605A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810181778.1

申请日：2002-09-30

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/112

摘要： 本发明提出一种改进的三维掩膜编程只读存储器，它的至少部分地址线由掺杂的半导体材料构成，且不含金属膜、合金膜或金属化合物膜。它具有较好的可制造性。

公开(公告)号：CN100538907C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610159413.X

申请日：2002-11-17

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 本发明提出一种三维只读存储器(3D-ROM)中的二极化存储元，该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜，或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小，从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D-ROM中的无缝存储元，它能提高3D-ROM的成品率。

公开(公告)号：CN101401167A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008654.7

申请日：2007-03-13

申请人： 美光科技公司

发明人： 卢卡·德桑蒂斯 ,  路易吉·皮洛利

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/10 ,  G11C17/10

CPC分类号： G06F3/061 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0875 ,  G06F12/0893 ,  G06F13/1668 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/452 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C7/16 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C2207/2245 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

摘要： 一种存储器装置分布式控制器电路在多个存储器控制器之间分布存储器控制功能。主控制器接收经解译的命令，并依据所述命令激活适当的从属控制器。所述从属控制器可包含：数据高速缓冲存储器控制器，其耦合到数据高速缓冲存储器且控制数据高速缓冲存储器；以及模拟控制器，其耦合到模拟电压产生电路且控制模拟电压产生电路。相应的控制器具有适当的软件/固件指令，所述指令确定所述相应控制器响应于所述接收到的命令而采取的响应。

公开(公告)号：CN101359510A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810130153.2

申请日：2008-07-30

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 山田光一

IPC分类号： G11C17/10 ,  H01L27/112

摘要： 本发明提供一种存储器，其构成为具备：多根字线；配置为与多根字线交叉的多根位线；分别配置于字线与位线交叉的位置上的多个存储器单元；和与位线连接的选择电路；选择电路的电流驱动能力根据位线所配置的位置的不同而不同。