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公开(公告)号：CN101661797A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910177543.X
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
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公开(公告)号：CN101174830A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710184919.0
申请日：2007-10-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/09429
摘要： 一种低电压互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)制作的三态缓冲器(Tri－State Buffer)，包括逻辑装置、偏置装置及开关装置。逻辑装置接收输入信号及启用信号并据以产生第一控制信号及第二控制信号。偏置装置接收第一控制信号，并据以控制第三控制信号的信号电平。开关装置接收第二及第三控制信号，并分别于第二及第三控制信号启用时耦接输出端至第一外部电压端及第二外部电压端。其中，当启用信号非启用时，第二及第三控制信号同时非启用，使得输出端同时与第一及第二外部电压端浮接(Floating)，并使输出端处于高阻抗状态。
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公开(公告)号：CN1414700B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN01136750.4
申请日：2001-10-23
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H03F3/00
摘要： 一种电流镜感应放大器及其操作方式。其中，此电流镜感应放大器具有两级的电流镜、第一晶体管以及第二晶体管，其中第一以及第二晶体管都各自具有第一、第二连接端以与栅极端。此电流镜具有电流输入端与电流输出端。第一以及第二晶体管的栅极端分别耦接预先充电电压以及参考信号且其第一连接端电性都耦接电压源，而其第二连接端则接耦接该电流镜的输出端。通过改变第二晶体管长与宽的比例改变该两级电流镜的输出端与该第二晶体管的第二连接端的电流间的比率以及利用第一晶体管所耦接的预先充电电压所提供的电流的方式对该两级电流镜的输出端电位作预先充电。
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公开(公告)号：CN101149974A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710088991.3
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层，并离子植入露出的待编码存储体，以定义出第一存储体及第二存储体，第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器，使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。
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公开(公告)号：CN100337284C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN01136749.0
申请日：2001-10-23
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明是有关于一种快速等化的地线电路及传感电路及其方法，此地线电路具有参考晶体管以及切换电路。当地线信号禁能时，使得切换电路相对应的地线耦接预先充电总线做预先充电动作，若被选择的地线信号致能时，使得被选择的切换电路做传感数据动作，否则未被选择的切换电路相对应的地线预先充电总线持续做预先充电动作。当被选择的地线信号由致能转换成禁能时，此时被选择的切换电路相对应的地线及未被选择的切换电路相对应的地线耦接至电压源。
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公开(公告)号：CN1414700A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01136750.4
申请日：2001-10-23
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H03F3/00
摘要： 一种电流镜感应放大器及其操作方式。其中，此电流镜感应放大器具有两级的电流镜、第一晶体管以及第二晶体管，其中第一以及第二晶体管都各自具有第一、第二连接端以与栅极端。此电流镜具有电流输入端与电流输出端。第一以及第二晶体管的栅极端分别耦接预先充电电压以及参考信号且其第一连接端电性都耦接电压源，而其第二连接端则接耦接该电流镜的输出端。通过改变第二晶体管长与宽的比例改变该两级电流镜的输出端与该第二晶体管的第二连接端的电流间的比率以及利用第一晶体管所耦接的预先充电电压所提供的电流的方式对该两级电流镜的输出端电位作预先充电。
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公开(公告)号：CN101661797B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910177543.X
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
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公开(公告)号：CN100581061C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710184919.0
申请日：2007-10-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/09429
摘要： 一种低电压互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)制作的三态缓冲器(Tri-State Buffer)，包括逻辑装置、偏置装置及开关装置。逻辑装置接收输入信号及启用信号并据以产生第一控制信号及第二控制信号。偏置装置接收第一控制信号，并据以控制第三控制信号的信号电平。开关装置接收第二及第三控制信号，并分别于第二及第三控制信号启用时耦接输出端至第一外部电压端及第二外部电压端。其中，当启用信号非启用时，第二及第三控制信号同时非启用，使得输出端同时与第一及第二外部电压端浮接(Floating)，并使输出端处于高阻抗状态。
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公开(公告)号：CN100580813C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710088991.3
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层，并离子植入露出的待编码存储体，以定义出第一存储体及第二存储体，第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器，使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。
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公开(公告)号：CN1414565A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01136749.0
申请日：2001-10-23
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明是有关于一种快速等化的地线电路及传感电路及其方法，此地线电路具有参考晶体管以及切换电路。当地线信号禁能时，使得切换电路相对应的地线耦接预先充电总线做预先充电动作，若被选择的地线信号致能时，使得被选择的切换电路做传感数据动作，否则未被选择的切换电路相对应的地线预先充电总线持续做预先充电动作。当被选择的地线信号由致能转换成禁能时，此时被选择的切换电路相对应的地线及未被选择的切换电路相对应的地线耦接至电压源。
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