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公开(公告)号：CN101149974A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710088991.3
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层，并离子植入露出的待编码存储体，以定义出第一存储体及第二存储体，第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器，使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。
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公开(公告)号：CN101661797B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910177543.X
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
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公开(公告)号：CN100580813C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710088991.3
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层，并离子植入露出的待编码存储体，以定义出第一存储体及第二存储体，第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器，使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。
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公开(公告)号：CN101661797A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910177543.X
申请日：2007-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种非易失性存储器的操作方法。首先，提供一待编码存储器，该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时，反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
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公开(公告)号：CN1571116A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03146455.6
申请日：2003-07-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 一种半导体炉管温度及气体流量异常事件的预防方法及装置，在炉管的管壁及其外部的加热器分别装设侧翼热耦及火门热耦，一温度控制器连接该二热耦以操控该加热器，及一流量控制器管制导入该炉管的气体流量，为预防温度及气体流量异常事件，检视该火门热耦以维持其在第一温度范围，接着检视该侧翼热耦以维持其在第二温度范围，并检视该流量控制器的零点以维持其在第一气体流量速率范围，将晶圆载入后升温，然后检视该侧翼热耦以维持其在第三温度范围，并检视该流量控制器以维持其在第二气体流量速率范围，在主程序中注入气体至该炉管，完成主程序后降温卸载该晶圆。
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公开(公告)号：CN1301534C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN03146455.6
申请日：2003-07-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 一种半导体炉管温度及气体流量异常事件的预防方法及装置，在炉管的管壁及其外部的加热器分别装设侧翼热耦及火门热耦，一温度控制器连接该二热耦以操控该加热器，及一流量控制器管制导入该炉管的气体流量，为预防温度及气体流量异常事件，检视该火门热耦以维持其在第一温度范围，接着检视该侧翼热耦以维持其在第二温度范围，并检视该流量控制器的零点以维持其在第一气体流量速率范围，将晶圆载入后升温，然后检视该侧翼热耦以维持其在第三温度范围，并检视该流量控制器以维持其在第二气体流量速率范围，在主程序中注入气体至该炉管，完成主程序后降温卸载该晶圆。
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公开(公告)号：CN1255861C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN01143461.9
申请日：2001-12-28
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 一种半导体晶片的热氧化制作工艺，此制作工艺首先在低于主要热氧化制作工艺温度的一温度之下，将晶片加载炉管中，并且，通入足以驱离炉管中水气以及氧气的大流量的氮气或氩气。接着在晶片完全加载炉管后，逐渐升高炉管的操作温度至主要热氧化制作工艺温度，并持续通入氮气或氩气。然后，在主要热氧化制作工艺温度下，在炉管中通入氧气，并进行热氧化制作工艺。其后，逐渐降低炉管的操作温度，并由炉管取出晶片。
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公开(公告)号：CN1428824A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01143461.9
申请日：2001-12-28
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
摘要： 一种半导体晶圆的热氧化制作工艺，此制作工艺首先在低于主要热氧化制作工艺温度的一温度之下，将晶圆加载炉管中，并且，通入足以驱离炉管中水气以及氧气的大流量的氮气或氩气。接着在晶圆完全加载炉管后，逐渐升高炉管的操作温度至主要热氧化制作工艺温度，并持续通入氮气或氩气。然后，在主要热氧化制作工艺温度下，在炉管中通入氧气，并进行热氧化制作工艺。其后，逐渐降低炉管的操作温度，并由炉管取出晶圆。
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