发明公开
CN101661797A 非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法
- 专利标题(英): Manufacturing method of nonvolatile memory, writing method and reading method thereof
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申请号: CN200910177543.X申请日: 2007-03-29
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公开(公告)号: CN101661797A公开(公告)日: 2010-03-03
- 发明人: 陈威仲 , 何达能 , 陈俤文 , 陈威铭
- 申请人: 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 史新宏
- 分案原申请号: 2007100889913
- 主分类号: G11C17/10
- IPC分类号: G11C17/10
摘要:
提供一种非易失性存储器的操作方法。首先,提供一待编码存储器,该待编码存储器的存储体在程序化后具有一第一位状态与程序化前具有一第二位状态。接着计算一欲编码程序数据中该第一位状态及该第二位状态的数量。当该第一位状态的数量大于该第二位状态的数量时,反向定义该欲编码程序数据。将该反向定义后的欲编码程序数据写入该待编码存储器中。
公开/授权文献
- CN101661797B 非易失性存储器的制造方法、写入方法及读取方法 公开/授权日:2013-06-12